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中國臺灣松木MOS管 ME4565AD4數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME4565AD4中文資料pdf

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產(chǎn)品型號ME4565AD4

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更新時間：2022-03-25 10:27:09瀏覽次數(shù)：120次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

TheME4565AD4istheNandP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME4565AD4 is the N and P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,ａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設備

●電池供電系統(tǒng)

●DC/DC轉換器

●負荷開關

●液晶顯示逆變器

● RDS(ON) ≦30mΩ@VGS=10V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦58mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=-10V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦75mΩ@VGS=-4.5V(P-Ch)

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)