產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品 · 參數(shù)
原子層沉積系統(tǒng)ALD
標(biāo)準(zhǔn)型(Standard )設(shè)備價格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配
結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,后期維護(hù)簡單易行用途廣,適合各種基底材料
原子層沉積系統(tǒng),ALD——擴(kuò)展型(Flexivol)設(shè)備腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié),同一腔室可通過簡單的調(diào)節(jié)用于不同厚度的樣品
增多前驅(qū)體源入口數(shù)目,避免腔室體積增大對前驅(qū)體化學(xué)源氣氛分布的影響ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化(Non-Standard)設(shè)備為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案放大基于標(biāo)準(zhǔn)研究型設(shè)備檢驗的相同技術(shù)根據(jù)客戶的特殊需求,加工定制,滿足特殊應(yīng)用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要
研發(fā)(R&D)服務(wù)
產(chǎn)品配置
標(biāo)準(zhǔn)套件
多段溫度控制
前驅(qū)體溫控0-200 °C,精度1 °C
腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C
進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C
基本壓強(qiáng) 10^−1/10^−3 mbar
設(shè)備尺寸 1000x600x1000 mm
觸控控制系統(tǒng)
系統(tǒng)當(dāng)前狀態(tài)信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等
工藝監(jiān)控:溫度和壓力等
偏差報警和安全鎖
菜單操作,實時監(jiān)控
可增配選項
等離子體發(fā)生器 借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強(qiáng)ALD性能
臭氧發(fā)生器 提供強(qiáng)氧化劑,增大ALD生長的前驅(qū)體選擇范圍
石英晶體微天平在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度