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輝光等效等離子PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-PECVD 實驗室臭氧發(fā)生機

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更新時間:2023-05-31 09:05:42瀏覽次數(shù):190次

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雙層風(fēng)扇散熱裝置主要特點貝意克公司研制的PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū),輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象

雙層風(fēng)扇散熱裝置

主要特點

貝意克公司研制的PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū),輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。其優(yōu)勢有沉積溫度低,沉積速率快,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂等。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號:
BTF-1200C-PECVD
實驗機理:
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點,工藝流程簡單。
技術(shù)參數(shù):
加熱區(qū)參數(shù)
反應(yīng)腔體尺寸:Φ50,Φ60,Φ80,Φ100
加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)
加熱區(qū)長度:440mm
恒溫區(qū)長度:200mm(±1℃)
工作溫度:1100℃
Z高溫度:1200℃
控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能
控溫精度:±1℃
升溫速率:20℃/min
爐門結(jié)構(gòu):開啟式
工作電源:AC220V /50HZ
額定功率:3KW
空參數(shù)
采用KF25系列波紋管和手動擋板閥;
真空度可達10-3torr;
數(shù)顯真空測試儀可直觀的顯示數(shù)值。
流量控制參數(shù)
內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量;
氣體流量范圍可選,誤差為±1.5%;
一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥;
不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。
射頻電源與匹配器
電源:單相50/60Hz 220v±10%
加熱(功率)電源:2.5KW,25A
控制柜電源空氣開關(guān):32A空氣開關(guān)
薄膜生長室溫度:室溫~ 1200℃
射頻頻率:13.56MHz
射頻功率輸出范圍:5~500W
細(xì)節(jié)展示:

外型尺寸:
爐體:940×380×520mm
供氣及真空系統(tǒng):600×600×600mm
凈重:
130Kg
認(rèn)證和:
號:ZL.0 (產(chǎn)品,防偽必究)


智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(型號:BTF-1200C-II-A

主要特點:一、此設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控

三溫區(qū)智能型等離子體化學(xué)沉積系統(tǒng)(BTF-1200C-III-500A

主要特點:此款智能型等離子體增強化學(xué)沉積系統(tǒng)的高溫真空爐加熱腔體采用進

連續(xù)進出料等離子體增強回轉(zhuǎn)設(shè)備-BTF-1200C-RP-PECVD

主要特點該款設(shè)備是全自動Plasma增強CVD系統(tǒng)(PECVD)

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