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孚光精儀公司
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產(chǎn)品型號(hào)FPZEB-P-1D
品 牌
廠商性質(zhì)其他
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更新時(shí)間:2023-01-24 08:20:41瀏覽次數(shù):361次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線該硅片TTV厚度測(cè)試儀是采用紅外干涉技術(shù)的硅片厚度測(cè)量?jī)x,能夠精確測(cè)量硅片厚度和測(cè)量TTV總厚度變化,也能實(shí)時(shí)測(cè)量超薄晶圓厚度(掩膜過程中的晶圓),硅片厚度測(cè)試儀非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等厚度測(cè)量應(yīng)用
該硅片TTV厚度測(cè)試儀是采用紅外干涉技術(shù)的硅片厚度測(cè)量?jī)x,能夠精確測(cè)量硅片厚度和測(cè)量TTV總厚度變化,也能實(shí)時(shí)測(cè)量超薄晶圓厚度(掩膜過程中的晶圓),硅片厚度測(cè)試儀非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等厚度測(cè)量應(yīng)用。
硅片厚度測(cè)量?jī)x采用的這種紅外干涉技術(shù)具有優(yōu)勢(shì),諸 多材料例如,Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃,石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的,非常容易測(cè)量,標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量空間分辨率可達(dá)50微米,更小的測(cè)量點(diǎn)也可以做到。
這款硅片厚度測(cè)量?jī)x采用非接觸式測(cè)量方法,對(duì)晶圓的厚度和表面形貌進(jìn)行測(cè)量,可廣泛用于:MEMS, 晶圓,電子器件,膜厚,激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測(cè)量。
該硅片厚度測(cè)量?jī)x專業(yè)為掩膜,劃線的晶圓,粘到藍(lán)寶石或玻璃襯底上的晶圓等各種晶圓的厚度測(cè)量而設(shè)計(jì),同時(shí),硅片厚度測(cè)試儀還適合50-300mm 直徑的晶圓的表面形貌測(cè)量。
該硅片厚度測(cè)試儀具有探針系統(tǒng)配件,使用該探針系統(tǒng)后,硅片TTV厚度測(cè)試儀可以高精度地測(cè)量圖案化晶圓,帶保護(hù)膜的晶圓, 鍵合晶圓和帶凸點(diǎn)晶圓(植球晶圓),wafers with patterns, wafer tapes,wafer bump or bonded wafers 。
該硅片TTV厚度測(cè)試儀直接而精確地測(cè)量晶圓襯底厚度和厚度變化TTV,同時(shí)該硅片厚度測(cè)量?jī)x能夠測(cè)量晶圓薄膜厚度,硅膜厚度(membrane thickness) 和凸點(diǎn)厚度(wafer pump height).,溝槽深度 (trench depth).
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