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MgAl6O10單晶及基片簡(jiǎn)介:MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長(zhǎng)用新型襯底材料
MgAl6O10單晶及基片
簡(jiǎn)介:
MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長(zhǎng)用新型襯底材料。與MgAl2O4晶體相比,MgAl6O10單晶與GaN的熱膨脹失配和晶格失配更小。與GaN的熱膨脹失配為2.2×10?6 K?1,晶格失配為?11.5%。此外,MgAl6O10單晶由于熔點(diǎn)較MgAl2O4晶體低,更易于生長(zhǎng)大尺寸和高質(zhì)量的晶體。實(shí)驗(yàn)證明,在MgAl6O10單晶襯底上制備的GaN和ZnO器件的發(fā)光性能比藍(lán)寶石有所提升。
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