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更新時(shí)間：2022-12-05 17:02:59瀏覽次數(shù)：237次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線英國(guó)Oxford Vacuum 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)Vapour Station 4 微納器件樣品制備系統(tǒng)，該電子束蒸發(fā)鍍膜儀是一款微納器件樣品制備系統(tǒng)，為有機(jī)無(wú)機(jī)多源有 氣相分子沉積系統(tǒng)，高真空條件下，通過(guò)加熱材料的方法，在襯底上沉積各 種化合物、混合物單層或多層膜，具有高真空多源有機(jī)、金屬電阻蒸發(fā)及手 套箱保護(hù)條件下器件后期制作，主要用于有機(jī)半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能， 研究實(shí)驗(yàn)、有機(jī)半導(dǎo)體器件的原......
英國(guó)Oxford Vacuum 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)Vapour Station 4
微納器件樣品制備系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該電子束蒸發(fā)鍍膜儀是一款微納器件樣品制備系統(tǒng)，為有機(jī)無(wú)機(jī)多源有 氣相分子沉積系統(tǒng)，高真空條件下，通過(guò)加熱材料的方法，在襯底上沉積各 種化合物、混合物單層或多層膜，具有高真空多源有機(jī)、金屬電阻蒸發(fā)及手 套箱保護(hù)條件下器件后期制作，主要用于有機(jī)半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能， 研究實(shí)驗(yàn)、有機(jī)半導(dǎo)體器件的原理研究實(shí)驗(yàn)也可用于普通金屬電極蒸發(fā)鍍膜研究；
真空室采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼，氬弧焊接、采用*鈍化處理工藝?；_(tái)尺 寸：3 英寸，配備一套 TELEMARK 的單袋電子束靶槍一套；鍍膜室用一臺(tái) 高精度石英晶振膜厚監(jiān)測(cè)儀進(jìn)行薄膜厚度監(jiān)測(cè)，配備有原裝石英晶振探頭； 鍍膜生長(zhǎng)室放置2個(gè)熱阻蒸發(fā)舟，是一款真空高性價(jià)比的電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)。
尺寸:495 mm (L) x 485 mm (W) x 500 mm (H)
真空腔體:
真空腔體要求：樣品尺寸為 3 英寸，樣品臺(tái)直徑為 75mm； 薄膜均勻性≤±1%；
極限壓力：真空腔室薄膜真空度＜3×10-7 mbar；
真空計(jì)：真空測(cè)量系統(tǒng)，寬范圍的真空規(guī)，真空度小于 3×10-7mbar；
樣品夾：真空腔體里配有樣品夾，能夠固定住樣品；
擋板：真空腔體里配有沉積擋板，工作時(shí)能區(qū)分開(kāi)不同樣品；
蒸發(fā)樣品池：配置單袋容量 1.5cc 的電子束靶槍，電源功率為3KW ；
蒸發(fā)舟：2個(gè)熱蒸發(fā)鎢舟，用于沉積一些熱蒸發(fā)材料；
薄膜監(jiān)測(cè)儀：
.電腦控制的薄膜監(jiān)測(cè)儀，能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜的厚度情況；
.測(cè)量頻率范圍至少包含6.0 to 5.0 MHz這個(gè)范圍；
.頻率分辨率應(yīng)≤±0.03 Hz （at 6 MHz）； 測(cè)量間隔應(yīng)≤0.10 s；厚度顯示分辨率≤1 Å；
真空系統(tǒng)：
.真空系統(tǒng)組成：應(yīng)至少包含一臺(tái)干式渦旋泵和一臺(tái)渦輪分子 泵，美國(guó)安捷倫干式渦旋泵作為前級(jí)泵；
.愛(ài)德華渦輪分子泵：
-N2抽速：240 L/s；
-極限真空（ISO）：<6×10-8mbar；
-強(qiáng)制空氣冷卻，35°C,環(huán)境溫度：30sccm；
-標(biāo)稱旋轉(zhuǎn)速度：60000rpm；
-待機(jī)旋轉(zhuǎn)速度范圍：33000-60000rpm；
-可編程功率限制范圍：50-200W
-強(qiáng)制空氣冷卻的環(huán)境空氣溫度：5-35°C；
-噪音級(jí)別：<45dB(A)
冷卻方式包含有風(fēng)冷和水冷兩種方式可供提前選擇；
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