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深圳維爾克斯光電有限公司


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PSD位敏探測(cè)器(一維/二維)

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一維/二維位敏探測(cè)器SiTek是在偏置模式下工作,一維位置感應(yīng)探測(cè)器和SiTek二維PSD的位置非線性分別是±0.1%和±0.3%,PSD探測(cè)器主要應(yīng)用于距離和高度測(cè)量、校準(zhǔn)、位置和運(yùn)動(dòng)測(cè)量等。

詳細(xì)介紹

SiTek位敏探測(cè)器PSD高分辨率,位置非線性±0.1%和±0.3%


適用于所有一維/二維位敏探測(cè)器SiTek的通用數(shù)據(jù):

- 典型熱漂移:1L(一維)系列為20 ppm/°C,2L(二維)系列為40ppm/°C

- 偏置電壓:5-20V

- 工作溫度:70°C

- 存儲(chǔ)溫度:100°C


一維/二維位敏探測(cè)器SiTek規(guī)格數(shù)據(jù)是在以下條件下測(cè)量的:

- 偏壓=15V

- 溫度23°C

- 位置非線性和熱漂移的測(cè)量范圍為探測(cè)器長(zhǎng)度的80%

- 熱漂移的測(cè)量范圍為23°C至70°C

- 除非另有說(shuō)明,否則所有數(shù)值均為典型值

- 有關(guān)詳細(xì)數(shù)據(jù),請(qǐng)參閱各數(shù)據(jù)表


      一維/二維位敏探測(cè)器SiTek是在偏置模式下工作,一維位置感應(yīng)探測(cè)器和SiTek二維PSD的位置非線性分別是±0.1%和±0.3%,PSD探測(cè)器主要應(yīng)用于距離和高度測(cè)量、校準(zhǔn)、位置和運(yùn)動(dòng)測(cè)量等。

瑞典SiTek在生產(chǎn)位置感應(yīng)探測(cè)器方面具有幾十年的經(jīng)驗(yàn),注重分辨率、線性度和品質(zhì),很受客戶的青睞。位置感應(yīng)探測(cè)器(Position Sensing Detector, PSD),也叫位置傳感器PSD,是一種光電設(shè)備,可將入射光點(diǎn)轉(zhuǎn)換為連續(xù)的位置數(shù)據(jù)。一維/二維位敏探測(cè)器SiTek具有分辨率高、響應(yīng)速度快、線性度好的特點(diǎn),適用于各種光強(qiáng),而且操作電路簡(jiǎn)單。

SiTek探測(cè)器主要有兩種類型:一維和二維。SiTek位敏探測(cè)器PSD根據(jù)側(cè)面效應(yīng)光電二極管原理工作,具有出色的位置分辨率。PSD位敏探測(cè)器(一維/二維)分辨率由系統(tǒng)信噪比決定,而且是在偏置模式下工作。另外,SiTek還可提供特殊的紫外UVYAG增強(qiáng)型和核型版本(Nuclear versions)

1PSD位敏探測(cè)器(一維/二維)圖示


SiTek位敏探測(cè)器PSD的特點(diǎn):

- 將光點(diǎn)或輻射點(diǎn)的位置轉(zhuǎn)換為信號(hào)電流

- PSD探測(cè)器具備出色的位置分辨率和線性度

- 光譜響應(yīng)范圍廣

- 可在各種光照或輻射強(qiáng)度下工作

- 響應(yīng)時(shí)間短

- 同時(shí)測(cè)量光或輻射強(qiáng)度的位置

- 不受光點(diǎn)或輻射點(diǎn)聚焦的影響

- 動(dòng)態(tài)范圍廣


SiTek位敏探測(cè)器PSD的應(yīng)用:

- 距離和高度測(cè)量

- 校準(zhǔn)、位置運(yùn)動(dòng)測(cè)量和振動(dòng)研究

- 非接觸式距離測(cè)量系統(tǒng)(三角測(cè)量法)

- 校準(zhǔn)和表面水平測(cè)量

- 定位和運(yùn)動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)

- 光學(xué)光譜分析儀

- 三維機(jī)器視覺(jué)(輪廓映射)

- 角度測(cè)量系統(tǒng)


一維位敏探測(cè)器(1-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表:

- 位置非線性:±0.1%

- 探測(cè)器電阻:50kohm

Part.NO

型號(hào)

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時(shí)間(10-90%)(µs)

標(biāo)準(zhǔn)封裝

S1-0001

1L2.5_CP2

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

14 DIL

S1-0065

1L2.5_CP1

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

4 DIL

S1-0003

1L5_CP2

5.0x1.0

4

0.4

5

0.05

14 DIL

S1-0009

1L5_CP1

5.0x1.0

4

0.4

5

0.05

4 DIL

S1-0005

1L10_CP2

10x2

8

0.4

15

0.2

14 DIL

S1-0236

1L10_SU70

10x2

8

0.4

15

0.2

SMD

S1-0006

1L20_CP3

20x3

60

0.5

45

0.5

22 DIL

S1-0007

1L30_SU2

30x4

150

0.7

90

1

基底

S1-0247

1L45_SU69

45x3

110

0.4

105

2.7

基底

S1-0248

1L60_SU34

60x3

150

0.4

135

4.5

基底

消除雜散光的SiTek一維PSD

- 位置非線性:±0.1%

- 探測(cè)器電阻:200kohm

Part.NO

型號(hào)

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時(shí)間(10-90%)(µs)

標(biāo)準(zhǔn)封裝

S1-0090

1L5NT_CP1

5x0.25

4

0.3

5

0.25

4 DIL

S1-0066

1L5NT_CP2

5x0.25

4

0.3

5

0.25

14 DIL

S1-0067

1L10NT_CP2

10x0.5

8

0.3

15

0.7

14 DIL

帶有增強(qiáng)UV響應(yīng)的SiTek一維位置感應(yīng)探測(cè)器:

Part.NO

型號(hào)

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時(shí)間(10-90%)(µs)

標(biāo)準(zhǔn)封裝

S1-0072

1L2.5UV_CP2

2.5x0.6

2

0.4

1.6

0.03

14 DIL

S1-0032

1L5UV_CP2

5x1

4

0.4

5

0.05

14 DIL

S1-0073

1L10UV_CP2

10x2

8

0.4

15

0.2

14 DIL

S1-0074

1L20UV_CP3

20x3

50

0.5

45

0.5

14 DIL

S1-0034

1L30UV_SU2

30x4

150

0.5

90

1

基底

二維位敏探測(cè)器(2-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表:

- 位置非線性:±0.3%

- 探測(cè)器電阻:10kohm

Part.NO

型號(hào)

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時(shí)間(10-90%)(µs)

標(biāo)準(zhǔn)封裝

S2-0001

2L2_MP1

2x2

50

1.3

7

0.03

TO-8

S2-0032

2L2_CP4

2x2

50

1.3

7

0.03

4針 陶瓷

S2-0002

2L4_MP1

4x4

50

1.3

20

0.08

TO-8

S2-0024

2L4_CP5

4x4

50

1.3

20

0.08

4-陶瓷

S2-0184

2L4_SU71

4x4

50

1.3

20

0.08

SMD

S2-0003

2L10_SU7

10x10

100

1.3

90

0.4

基底

S2-0033

2L10_CP6

10x10

100

1.3

90

0.4

4針 陶瓷

S2-0185

2L10_SU72

10x10

100

1.3

90

0.4

SMD

S2-0004

2L20_SU9

20x20

200

1.5

360

1.6

基底

S2-0023

2L20_CP7

20x20

200

1.5

360

1.6

4針 陶瓷

S2-0196

2L45_SU24

45x45

400

1.5

1600

7.0

基底

帶有增強(qiáng)UV響應(yīng)的SiTek二維PSD

Part.NO

型號(hào)

有效面積(mm)

漏電流(nA)

Leakage current

Noise干擾電流pA/Hz

電容(pF)

上升時(shí)間(10-90%)(µs)

標(biāo)準(zhǔn)封裝

S2-0030

2L2UV_MP1

2 x 2

50

1.3

7

0.03

TO-8

S2-0006

2L4UV_MP1

4 x 4

50

1.3

20

0.08

TO-8

S2-0016

2L10UV_SU7

10 x 10

100

1.3

90

0.4

基底

S2-0034

2L20UV_SU9

20 x 20

200

1.5

360

1.6

基底



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