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更新時間:2024-02-29 15:42:23瀏覽次數(shù):113次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線Ho 3+離子的發(fā)射截面和激光能級壽命比Tm 3+離子更高,但是由于Ho 3+不具有與商用激光二極管的輸出匹配的強吸收線,因此通常選擇Ho 3+與Tm 3+離子共摻雜以實現(xiàn)有效操作。因此,optogama設(shè)計了Tm,Ho:KYW晶體。
激光晶體,Tm,Ho:KYW晶體
Optogama開發(fā)了不同的激光晶體主機和離子摻雜劑組合,用于基礎(chǔ)研究和工業(yè)應(yīng)用。激光晶體-有源激光介質(zhì)是激光內(nèi)部光學(xué)增益的來源,激光晶體或激光玻璃通常摻雜稀土離子(例如釹、鐿或鉺)或過渡金屬離子(鈦或鉻)。為了激發(fā)激光,有源增益介質(zhì)必須處于非熱能分布中,即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。
Tm,Ho:KYW晶體是一種比較有特色的激光晶體,與Tm3 +離子相比,Ho3 +離子通常具有更高的發(fā)射截面和更長的較高激光能級壽命。這些特征對于低閾值和有效的激光操作特別理想。但是,人們認(rèn)識到,由于Ho3 +不具有與市售激光二極管的輸出匹配的強吸收線,因此通常選擇Ho3 +與Tm3 +離子共摻雜以實現(xiàn)在2μm光譜范圍內(nèi)有效工作。Tm-Ho系統(tǒng)中的能量傳遞路徑。 Tm,Ho:KYW晶體的特征是大而寬的極化吸收和發(fā)射帶,有效的能量傳遞Tm3 +→Ho3 +。
Tm,Ho:KYW晶體主要特點:
-大而寬的偏振吸收和發(fā)射帶
-有效能量傳遞TM3+→Ho3+
-高摻雜濃度低濃度淬火
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Tm,Ho:KYW晶體主要應(yīng)用:
- 2μm型遙感激光器(激光雷達(dá)技術(shù))、計量和醫(yī)療應(yīng)用
-中紅外光學(xué)參量振蕩器的泵浦源。
Tm,Ho:KYW晶體技術(shù)特性:
吸收峰波長 | 802 nm |
峰值吸收截面 | 7.6×10-20厘米2 |
峰值吸收帶寬 | ~4nm |
激光波長 | 2060 nm |
5~7能級時間 | 1.8毫秒 |
發(fā)射截面@2056 nm | 4.7×10-20厘米2 |
折射率@1040 nm | ng=2.05,nm=2.01,np=1.97 |
晶體結(jié)構(gòu) | 單斜 |
密度 | 6.5克/cm3 |
Mohs硬度 | 4-5 |
熱導(dǎo)率 | ~3.3Wm-1K-1 |
DN/DT | DNm/dt=-9.2×10-6 K-1 |
熱膨脹系數(shù) | αp=1.83×10-6 K-1、αm=10.29×10-6 K-1, |
典型摻雜水平 | 5%[TM],0.5%[HO] |
Tm,Ho:KYW晶體的吸收和發(fā)射曲線
Tm,Ho:KYW晶體產(chǎn)品規(guī)格:
定向 | Ng-切割 |
透明孔徑 | >90% |
面尺寸公差 | +0/-0.1毫米 |
長度公差 | ±0.1毫米 |
平行度誤差 | <10 arcsec |
垂直度誤差 | <10 arcmin |
保護槽 | <0,1 mm at 45? |
表面質(zhì)量 | 10-5 S-D |
表面平整度 | <λ/10@6328 nm |
涂層 | R<0,5%@802 nm+R<0,15%@2000-2100 |
利特 | >10 J/cm2@2060 nm,10 ns |
Tm,Ho:KYW晶體產(chǎn)品型號
SKU | 面尺寸 | 長度 | 端面 | 摻雜 | 涂層 | 價格(RMB) |
7855 | 3x3毫米 | 2毫米 | 直角切割 | TM 5%,Ho 0 5% | AR/Ar@802nm+2000-2100 nm | 5600 |
7856 | 3x3毫米 | 2毫米 | 布魯斯特切 | TM 5%Ho 0 5% | 無涂層 | 4400 |
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