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森瑪特儀器(北京)有限公司


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武漢科思特CS350H電化學(xué)工作站

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更新時(shí)間:2023-01-07 12:06:28瀏覽次數(shù):727次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

武漢科思特CS350H電化學(xué)工作站 CS系列電化學(xué)工作站具有出*的穩(wěn)定性和精*度,*的硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了*秀的科研平臺(tái)。具體應(yīng)用于:1)電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)極氧化等反應(yīng)機(jī)理研究;2)電分析化學(xué)研究;電化學(xué)傳感器的性能研究;3)新型能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等)、*功能材料以及光電材料的性能研究

詳細(xì)介紹

1、武漢科思特CS350H電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位電位控制范圍:±10V

恒電流控制范圍:±2.0A

電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)

電位分辨率:10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz)

電流靈敏度:1pA

電位上升時(shí)間:<1mS(<10mA), <10mS(<2A)

參比電極輸入阻抗:1012W||20pF

電流量程:2nA~2 A , 共10檔

槽壓:±21V(可擴(kuò)展至±200V)

大輸出電流:2.0A

CV 和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s

CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

電流掃描增量:1mA @1A/mS

電位掃描時(shí)電位增量:0.076mV @1V/mS

SWV頻率:0.001~100KHz

DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz, 20bit @1KHz

DA分辨率:16bit, 建立時(shí)間:1mS

CV的小電位增量:0.075mV

IMP頻率:10mHz~1MHz

低通濾波器:8段可編程

電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置

接口通訊模式:USB2.0

2、武漢科思特CS350H電化學(xué)工作站

電化學(xué)阻抗功能指標(biāo)

信號(hào)發(fā)生器:

頻率響應(yīng):10mHz~1MHz

頻率精*度:0.005%

交流信號(hào)幅值:1mV~2500mV

號(hào)分辨率:0.1mV RMS

直流偏壓:-10~+10V

DDS輸出阻抗:50W

波形:正弦波,三角波,方波

正弦波失真:<1%

掃描方式:對(duì)數(shù)/線性,增加/下降

信號(hào)分析器:

小積分時(shí)間:10mS 或循環(huán)的長(zhǎng)時(shí)間

大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105S

測(cè)量時(shí)間延遲:0~105

直流偏置補(bǔ)償:

電位自動(dòng)補(bǔ)償范圍:-10V~+10V

電流補(bǔ)償范圍:-1A~+1A帶寬調(diào)整(Bandwidth) :自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置,共8級(jí)可調(diào)

3、CorrTest測(cè)量與控制軟件主要功能

穩(wěn)態(tài)極化:開(kāi)路電位測(cè)量(OCP)、恒電位極化(I-t曲線)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)、動(dòng)電流掃描(DGP)

暫態(tài)極化:任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、多電位階躍(VSTEP)、多電流階躍

計(jì)時(shí)分析:計(jì)時(shí)電位法(CP)、計(jì)時(shí)電流法(CA)、計(jì)時(shí)電量法(CC)

伏安分析:線性掃描伏安法(LSV)#­­、線性循環(huán)伏安法(CV)、階梯循環(huán)伏安法(SCV)#­­、方波伏安法(SWV)#、差分脈沖伏安法(DPV)#、常規(guī)脈沖伏安法(NPV)#、常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)#、差分脈沖電流檢測(cè)法(DPA)、雙差分脈沖電流檢測(cè)法(DDPA)、三脈沖電流檢測(cè)法(TPA)、積分脈沖電流檢測(cè)法(IPAD)、交流伏安法(ACV)#、二次諧波交流伏安(SHACV)、傅里葉變換交流伏安(FTACV)(標(biāo)#號(hào)的方法包括相應(yīng)的溶出伏安分析方法)交流阻抗:電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描、電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描、電化學(xué)阻抗(EIS)~電位掃描(Mott-Schottky曲線)腐蝕測(cè)量:動(dòng)電位再活化法(EPR)、電化學(xué)噪聲(EN)、電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)、氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT,氫擴(kuò)散測(cè)試中主動(dòng)式充氫需要另行配置CS1002精密恒流源使用)、晶間腐蝕測(cè)量

電池測(cè)試:電池充放電測(cè)試、恒電流充放電擴(kuò)展測(cè)量:圓盤(pán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、控制電位電解庫(kù)侖法(BE)、掃描階躍混合方法(SSF)、其它外設(shè)擴(kuò)展端口(定制)

4、儀器配置

1)儀器主機(jī)1臺(tái);

2)CorrTest測(cè)試與分析軟件1套

3)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

4)電極電纜線(含噪聲測(cè)量線)1條

5)模擬電解池1個(gè)(儀器自檢器件)

6)電化學(xué)實(shí)驗(yàn)配件1套,含:電解池1套、參比電極1支、鉑金輔助電極1支。

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