多晶硅少子壽命測(cè)試儀

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更新時(shí)間：2024-07-07 08:58:22瀏覽次數(shù)：94次

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深圳市匯中測(cè)控設(shè)備有限公司

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HZ-L22多晶硅少子壽命測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀價(jià)格、單晶多少子壽命測(cè)試儀

一、多金硅少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。 2、可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無(wú)需拋光、鈍化。 3、液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形。
二、多金硅少子壽命測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源 1、1.07μm波長(zhǎng)紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。 2、0.904～0.905μm波長(zhǎng)紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。三、多金硅少子壽命測(cè)試儀測(cè)量范圍： 1、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。 2、拋光面：電阻率在0.1～0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。四、多金硅少子壽命測(cè)試儀壽命可測(cè)范圍： 1、分體式：2μS—10ms 2、一體式：0.5μS—20ms