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308晶振華南代理 無(wú)源晶振封裝 華南晶振廠家

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詳細(xì)介紹

  在通信系統(tǒng)產(chǎn)品中,石英晶體振蕩器的價(jià)值得到了更廣泛的體現(xiàn),同時(shí)也得到了更快的發(fā)展。許多高性能的石英晶振主要應(yīng)用于通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸、高速數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)取?/p>

  晶振有一個(gè)重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱(chēng)的諧振頻率。

  如何防止晶振出現(xiàn)不良現(xiàn)象,現(xiàn)在介紹嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對(duì)晶振組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性,具體如下:

  1、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在保護(hù)中與外殼封裝起來(lái),以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈,壓封倉(cāng)要連續(xù)沖,并在壓封過(guò)程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和流量是否正常,否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對(duì)稱(chēng)不可歪斜。

  2、由于石英晶體是被動(dòng)組件,它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的,因此,當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)低時(shí),石英晶振不易起振,過(guò)高時(shí),便形成過(guò)激勵(lì),使石英芯片破損,引起停振。所以,應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外,有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率,從而降低晶體Q值,從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,所以,外加有功負(fù)載時(shí),應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。

  3、控制好剪腳和焊錫工序,并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量,引腳鍍層光亮均勻無(wú)麻面,無(wú)變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏,可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。

  4、當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí),應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容,可以通過(guò)調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來(lái)解決。

  石英鐘走時(shí)準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其大優(yōu)點(diǎn)。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為核心電路,其頻率精度決定了電子鐘表的走時(shí)精度。其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng),這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻,R2為振蕩的穩(wěn)定電阻,它們都集成在電路內(nèi)部。故無(wú)法通過(guò)改變C1或C2的數(shù)值來(lái)調(diào)整走時(shí)精度。但此時(shí)仍可用加接一只電容C有方法,來(lái)改變振蕩系統(tǒng)參數(shù),以調(diào)整走時(shí)精度。根據(jù)電子鐘表走時(shí)的快慢,調(diào)整電容有兩種接法:若走時(shí)偏快,則可在石英晶體兩端并接電容C。此時(shí)系統(tǒng)總電容加大,振蕩頻率變低,走時(shí)減慢。若走時(shí)偏慢,則可在晶體支路中串接電容C。此時(shí)系統(tǒng)的總電容減小,振蕩頻率變高,走時(shí)增快。只要經(jīng)過(guò)耐心的反復(fù)試驗(yàn),就可以調(diào)整走時(shí)精度。因此,晶振可用于時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器。

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