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高溫納米壓痕儀

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更新時(shí)間：2022-10-08 13:15:06瀏覽次數(shù)：179次

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高溫納米壓痕儀二級(jí)真空平臺(tái)優(yōu)點(diǎn):采用主動(dòng)參比技術(shù)，極大降低了熱漂移；(400C下，小于10nm/min)的材料設(shè)計(jì)，無(wú)熱膨脹；兩套獨(dú)立的載荷位移傳感器；采用熱量反射屏蔽罩設(shè)計(jì)及壓痕測(cè)量水循環(huán)冷卻系統(tǒng)；高的框架剛度(大于108N/m）；集成真空腔，允許測(cè)試樣品的真空度可達(dá)到5x10-7mbar

詳細(xì)介紹

高溫納米壓痕儀二級(jí)真空平臺(tái)

優(yōu)點(diǎn):
采用主動(dòng)參比技術(shù)，極大降低了熱漂移；
(400 °C下，小于 10 nm/min )
的材料設(shè)計(jì)，無(wú)熱膨脹；
兩套獨(dú)立的載荷位移傳感器；
采用熱量反射屏蔽罩設(shè)計(jì)及壓痕測(cè)量水循環(huán)冷卻系統(tǒng)；
高的框架剛度 (大于 10⁸N/m）；
集成真空腔，允許測(cè)試樣品的真空度可達(dá)到5 x 10^-7mbar。

技術(shù)參數(shù)：
HT-UNHT超納米壓痕儀可選擇兩種不同范圍的加熱平臺(tái)。

UNHT超納米壓痕儀
載荷范圍   100 mN
載荷分辨率 0.001uN
加載速率   10’000 mN/min
保載時(shí)間   無(wú)限制
位移   100um
位移分辨率 0.0003 nm

400°C加熱臺(tái)                          200°C加熱臺(tái)
加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min     加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min
溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C               溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C
樣品尺寸: 25 mm圓盤                   樣品尺寸: 25 mm x 50 mm

關(guān)鍵詞：納米壓痕儀傳感器

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