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SD8583S_電源適配器/充電器芯片 SD8583

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更新時(shí)間：2022-12-10 15:47:03瀏覽次數(shù)：193次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SD8583S產(chǎn)品描述：SD8583S是內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率

詳細(xì)介紹

SD8583S產(chǎn)品描述：

SD8583S是內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。

采用SD8583S設(shè)計(jì)系統(tǒng)，無(wú)需光耦，可省去次級(jí)反饋控制、環(huán)路補(bǔ)償，精簡(jiǎn)電路、降低系統(tǒng)成本。

SD8583S適用8~10W輸出功率，內(nèi)置線損補(bǔ)償功能和峰值電流補(bǔ)償功能。

SD8583S產(chǎn)品特點(diǎn)：

內(nèi)置高壓MOS管功率開(kāi)關(guān)

原邊控制模式

低啟動(dòng)電流

前沿消隱

逐周期限流

PFM調(diào)制

降峰值模式

過(guò)壓保護(hù)

欠壓鎖定

環(huán)路開(kāi)路保護(hù)

導(dǎo)通時(shí)間保護(hù)

過(guò)溫保護(hù)

線損電壓補(bǔ)償

峰值電流補(bǔ)償

典型應(yīng)用圖

　　SD8583S是離線式開(kāi)關(guān)電源集成電路，是內(nèi)置線損補(bǔ)償和峰值電流補(bǔ)償?shù)碾娫纯刂破?，通過(guò)檢測(cè)變壓器院級(jí)線圈的峰值電流和輔助線圈的反饋電壓，控制系統(tǒng)的輸出電壓和電流，達(dá)到輸出恒壓或者恒流的目的。

　　SD8583S完整的工作周期分為峰值電流檢測(cè)和反饋電壓檢測(cè)：

　　當(dāng)MOS管導(dǎo)通，通過(guò)采樣電阻檢測(cè)院級(jí)線圈的電流，此時(shí)FB端電壓為負(fù)，輸出電容對(duì)負(fù)載供電，輸出電壓V0下降，當(dāng)原級(jí)線圈的電流達(dá)到峰值時(shí)，MOS管關(guān)斷，F(xiàn)B端電壓檢測(cè)開(kāi)始，存儲(chǔ)的次級(jí)線圈的能量對(duì)輸出電容充電，輸出電壓V0上升，并對(duì)負(fù)載供電，當(dāng)同時(shí)滿足恒壓、恒流環(huán)路控制的開(kāi)啟條件后，MOS管才開(kāi)啟，隨之，芯片再次進(jìn)入峰值電流檢測(cè)。

關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)電源變壓器芯片

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