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ICP感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)

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更新時(shí)間：2022-12-19 18:42:48瀏覽次數(shù)：270次

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ICP感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)

詳細(xì)介紹

本設(shè)備主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過(guò)Φ6-8英寸）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。

設(shè)備主要由高真空刻蝕室、真空獲得及真空測(cè)量系統(tǒng)、恒壓系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、ICP系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、自動(dòng)控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)等部分組成。

刻蝕材料：Si、SiO₂、SiN、Poly-Si、聚合物、光刻膠等材料

氣路：6臺(tái)MFC控制6路氣體進(jìn)氣

樣品有效尺寸：Φ150mm（Φ6英寸）

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