產(chǎn)品介紹：    
    NIR-PLUS/B檢測(cè)系統(tǒng)是一款光伏檢測(cè)的綜合分析系統(tǒng)，既采用紅外技術(shù)對(duì)裂紋，孔洞，微結(jié)晶，雜質(zhì)和其他硬質(zhì)點(diǎn)等進(jìn)行檢測(cè)，又使用PL（光致發(fā)光）技術(shù)對(duì)雜質(zhì)及缺陷分布進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)造成少子壽命降低的原因進(jìn)行系統(tǒng)的分析。是減低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品品質(zhì)，促使公司競(jìng)爭(zhēng)力革命性增長(zhǎng)的的檢測(cè)設(shè)備。
 

產(chǎn)品特點(diǎn)：
■ PL(光致發(fā)光)和紅外技術(shù)綜合分析，并具有3D模塊
■ 采用銦鎵砷傳感器，而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管
   具有硬件圖像校正和計(jì)算機(jī)參數(shù)控制的功能，其靈敏度好，檢測(cè)結(jié)果與實(shí)際情況一致性佳
■ 軟件系統(tǒng)為不同產(chǎn)品表面情況及尺寸提供設(shè)置菜單，無(wú)需硬件上進(jìn)行設(shè)置，方便應(yīng)用
■ 不僅可以探測(cè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅塊與硅片，而且可以檢測(cè)無(wú)規(guī)則尺寸的樣品
■ 可直接對(duì)單晶，多晶，非晶，化合物等各類型光伏電池進(jìn)行直接檢測(cè)
■ 可應(yīng)用到電池生產(chǎn)中的各工藝檢測(cè)，對(duì)硅塊、硅片、絨面、擴(kuò)散、刻蝕、PECVD、電極印刷、燒結(jié)、電池片等各工藝進(jìn)行檢測(cè)分析
■ 紅外高像素相機(jī)，高分辨；得到更多波段的信息，更真實(shí)
■ 線形光源，掃描方式收集圖像，避免常規(guī)照相的光學(xué)變形
■ 可輕易獲得單位面積上的高強(qiáng)度并可輕易達(dá)7suns亮度，比常規(guī)1sun具有更高的敏感度，更經(jīng)濟(jì)更安全
■ 無(wú)需對(duì)線光源遮光，避免了對(duì)比度下降，信號(hào)更真實(shí)
■ 高像素紅外照相機(jī)3年免費(fèi)保修或更換的承諾 
■ 所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長(zhǎng)期高強(qiáng)度使用及最小維護(hù)量的要求
■ 即使在高照明的條件下，我們的相機(jī)傳感器也幾乎沒有退化的情況
■ 有多年在歐洲生產(chǎn)銷售應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的工業(yè)應(yīng)用性 
 

技術(shù)指標(biāo)：
■ 設(shè)備尺寸： 1000mm[H]×1100mm[W]×800mm[D] +控制PC
■ 設(shè)備重量： 166公斤
■ 樣品尺寸： 210mm*210mm*450mm（硅塊）
              210*210（硅片，可根據(jù)客戶要求拓展）
■ 檢測(cè)方式： 離線IR+PL檢測(cè)；一鍵式4面檢測(cè)
■ 檢測(cè)時(shí)間： 20秒（IR）；10-30秒（PL，根據(jù)樣品大小決定）
■ 成像系統(tǒng)： 銦鎵砷紅外相機(jī) ，溫控，積分控制， 亮度/對(duì)比度/伽瑪，感光度范圍控制
■ 分辨率：   1024 x 2304像素（12/14bit）
■ 檢測(cè)波長(zhǎng)： 900nm-1700nm
■ 激光控制： 電腦控制電源，50A
■ 校正方式： 標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)
■ 激光系統(tǒng)： 具用互鎖功能的一級(jí)高功率近紅外激光系統(tǒng)
              警示燈，報(bào)警軟件聯(lián)鎖功能
              閉路水冷溫控系統(tǒng)，滿功率系統(tǒng)溫度穩(wěn)定
■ 儀器控制： 接口 - 嵌入式硬件控制，USB控制靈活運(yùn)用
              數(shù)據(jù)格式 - “BMP"原始圖像+鏈接
              測(cè)量信息的文件，資料，導(dǎo)出為“CSV"格式
■ 符合標(biāo)準(zhǔn)： CE，RoHs
 
部分公開客戶名單：
Silicio Solar - Spain 
Pillar JSC - Ukraine
Q-Cell- Germany
PV Crystalox - England
DC Wafers - Spain
Lux s.r.l. – Italy
……
部分實(shí)列檢測(cè)結(jié)果
 
PL檢測(cè)可以輕易的檢測(cè)到黑心黑邊片，PL的優(yōu)勢(shì)是全程檢測(cè)，檢測(cè)速度快，為生產(chǎn)節(jié)省時(shí)間和成本，提高產(chǎn)品品質(zhì)。
 
 
通過IR和PL的共同分析，可以精確劃分硅塊的頭尾線。
 
 
(1) PL結(jié)果與uPCD少子壽命結(jié)果對(duì)比，通過擬合兩者間匹配度達(dá)98.65%
(2) PL圖像能夠直觀和準(zhǔn)確的反應(yīng)出樣品表面的問題，而uPCD不能實(shí)現(xiàn)
(3) PL像素可分辨0.175mm2，而uPCD僅可分辨1 mm2
 

    通過PL系統(tǒng)分析，可精確定位到diffusion這一步有問題，diffusion厚度不均，滾輪damage等；后續(xù)的工藝乃至最后的電池片結(jié)果說(shuō)明，厚度不均的問題在之后的環(huán)節(jié)對(duì)wafer進(jìn)行了優(yōu)化，最后不會(huì)明顯減低cell效率，而滾輪的damage影響到之后所有的環(huán)節(jié)，并最終影響到cell效率。
    如需更多內(nèi)容，請(qǐng)聯(lián)系合能陽(yáng)光，或聯(lián)系進(jìn)行樣品PL檢測(cè)！