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廣東皓天檢測(cè)儀器有限公司
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當(dāng)前位置:廣東皓天檢測(cè)儀器有限公司>>試驗(yàn)箱>>冷熱沖擊試驗(yàn)箱>> TSD-100F-2P兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 定制款模擬環(huán)境氣候

兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 定制款模擬環(huán)境氣候

參   考   價(jià): 58000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)TSD-100F-2P

品       牌廣皓天

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地東莞市

更新時(shí)間:2024-11-29 17:08:08瀏覽次數(shù):52次

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兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 定制款模擬環(huán)境氣候
用于檢測(cè)材料在各種環(huán)境下性能的設(shè)備及試驗(yàn)各種材料瞬間耐熱耐寒。耐干、耐濕性能。適合于科研機(jī)構(gòu),塑膠制品、電子產(chǎn)品、包裝材料、車載攝像頭、化妝品、電子、電器、手機(jī)、通訊、儀表、車輛、塑膠制品、金屬、食品、化學(xué)、建材、醫(yī)療、航天等制品檢測(cè)質(zhì)量之用。

兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 定制款模擬環(huán)境氣候


結(jié)構(gòu)特點(diǎn)


  1. 分區(qū)設(shè)計(jì)

    • 通常采用兩箱式或三箱式結(jié)構(gòu)。兩箱式結(jié)構(gòu)包含高溫箱和低溫箱,樣品通過(guò)自動(dòng)轉(zhuǎn)移裝置在兩箱之間快速移動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)冷熱沖擊;三箱式結(jié)構(gòu)則在高溫區(qū)和低溫區(qū)之外,額外設(shè)置了一個(gè)常溫緩沖區(qū),樣品放置在緩沖區(qū),通過(guò)控制閥門的開(kāi)合,使高溫或低溫空氣進(jìn)入緩沖區(qū)與樣品接觸,這樣樣品在靜止?fàn)顟B(tài)下就能完成冷熱沖擊測(cè)試,減少了因移動(dòng)可能造成的樣品震動(dòng)等影響。

    • 內(nèi)部各區(qū)域采用優(yōu)質(zhì)保溫材料進(jìn)行隔熱處理,有效防止熱量的散失或竄流,確保高溫區(qū)和低溫區(qū)的溫度穩(wěn)定性以及溫度切換的高效性,同時(shí)也有助于降低設(shè)備的能耗。

  2. 樣品架與夾具
    配備專門設(shè)計(jì)的樣品架和適配 DV 芯片的夾具,可靈活調(diào)整位置和間距,方便放置不同規(guī)格、數(shù)量的 DV 芯片進(jìn)行批量測(cè)試。夾具能夠牢固地固定芯片,避免在溫度急劇變化過(guò)程中芯片出現(xiàn)位移、松動(dòng)等情況,保障測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 定制款模擬環(huán)境氣候


技術(shù)參數(shù)

1.溫度范圍:-40℃~150℃(D)

2.濕度范圍:30%~98%R.H(溫度在25℃~95℃)

3.溫度均勻度:≤±2℃  (空載時(shí))

4.濕度均勻度:+2%  -3%R.H

5.溫度波動(dòng)度:≤±0.5℃ (空載時(shí))

6.濕度波動(dòng)度:±2%

7.溫度偏差:≤±2℃

8.濕度偏差:≤±2%

9.降溫速率:0.7~1.0℃/min

10.升溫速率:1.0~3.0℃/min

11.時(shí)間設(shè)定范圍:0~999 小時(shí)

12.電源電壓:380V±10%

13.設(shè)備總功率:3KW~15KW


性能參數(shù)


  1. 溫度范圍
    低溫區(qū)一般可達(dá)到 -60℃甚至更低,能夠模擬極度寒冷的環(huán)境,如高寒地區(qū)的戶外使用場(chǎng)景;高溫區(qū)溫度可達(dá)到 150℃以上,足以覆蓋芯片在設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行、局部發(fā)熱等情況下所面臨的高溫工況,充分考驗(yàn) DV 芯片在寬溫范圍內(nèi)的性能表現(xiàn)。

  2. 溫度變化速率
    具備快速的溫度變化能力,可實(shí)現(xiàn)每分鐘 10℃ - 30℃甚至更快的溫度變化速率,快速地讓 DV 芯片經(jīng)歷冷熱交替,精準(zhǔn)模擬現(xiàn)實(shí)中各種突發(fā)的、劇烈的溫度變化場(chǎng)景,如電子設(shè)備從寒冷的戶外進(jìn)入溫暖室內(nèi)時(shí)瞬間的溫度變化等。

  3. 溫度均勻性
    在整個(gè)測(cè)試工作室空間內(nèi),無(wú)論是高溫狀態(tài)、低溫狀態(tài)還是溫度切換過(guò)程中,各點(diǎn)的溫度均勻性能夠控制在較小的偏差范圍內(nèi),通常可達(dá)到 ±1℃ - ±2℃,確保每一片處于測(cè)試中的 DV 芯片都能接受到均勻一致的冷熱沖擊,使測(cè)試結(jié)果更具代表性和科學(xué)性。

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