一、RST5060F電化學(xué)工作站主要技術(shù)參數(shù):

儀器架構(gòu)：恒電位儀、恒電流儀

接地模式：可根據(jù)體系要求設(shè)置成實(shí)地模式或浮地模式

槽壓：±15V

電位掃描范圍：±12.8V

CV最小電位增量：0.0125mV

電位控制精度：<±0.5mV

電位控制噪聲：<0.01mV

電位上升時(shí)間：<0.25uS

電位測(cè)量零位：自動(dòng)校正

電位更新及阻抗采集速率：10MHz

電位測(cè)量低通濾波器：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置

電位測(cè)量精度：滿量程的0.1%

掃描速度：0.000001V/S～20000V/S

參比電極輸入阻抗//電容：>1013Ω//<10pF

恒電流輸出 ：±500mA

輸入偏置電流：<0.1pA

電流測(cè)量分辨率：電流量程的0.00076%，最小0.2fA

電流測(cè)量零位：自動(dòng)校正

電流測(cè)量量程：1pA～500mA(25檔)

前置放大倍數(shù)：5×10×100

電流測(cè)量靈敏度：1×10-12A/V

電流測(cè)量精度：滿量程的0.1%

電流測(cè)量低通濾波器：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置

方波伏安法頻率：1Hz~100kHz

CA和CC脈沖寬度：0.1mS～1200S

DPV脈沖寬度：0.05mS～64S

IR降補(bǔ)償：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置（10Ω~1MΩ）

多階躍循環(huán)次數(shù)：1000次

雙通道高速ADC：18bit@1Msps

數(shù)據(jù)長(zhǎng)度：20，000，000點(diǎn)

通氮攪拌及敲擊控制輸出：二路開(kāi)關(guān)量信號(hào)（+5V/10mA）

擴(kuò)展輸出：二路光電隔離數(shù)字量信號(hào)

儲(chǔ)能電化學(xué)測(cè)量保護(hù)模式：極性、電壓、電流、時(shí)間、鏈路

電極智能柔性保護(hù) ：電壓超載、電流超載

儀器尺寸：36*30*14（立方厘米）

二、RST5060F電化學(xué)工作站38種電化學(xué)方法包括：

線性掃描伏安法LSV	恒電位電解Q-T曲線
線性掃描溶出伏安法	恒電位溶出I-T曲線
線性掃描循環(huán)伏安法LCV	恒電位溶出Q-T曲線
動(dòng)電流掃描I-E曲線	開(kāi)路電位E-T曲線OCPT
階梯伏安法SV	電位溶出E-T曲線
階梯溶出伏安法	單電流階躍計(jì)時(shí)電位法CP
階梯循環(huán)伏安法SCV	多電流階躍計(jì)時(shí)電位法
方波伏安法SWV	控制電流E-T曲線
方波溶出伏安法	塔菲爾圖Tafel
方波循環(huán)伏安法SWCV	氯離子濃度監(jiān)測(cè)
差示脈沖伏安法DPV	宏電池電流監(jiān)測(cè)
差示脈沖溶出伏安法	高阻電位計(jì)
常規(guī)脈沖伏安法NPV	零阻電流計(jì)
差示常規(guī)脈沖伏安法DNPV	環(huán)形掃描
單電位階躍計(jì)時(shí)電流法CA	差分脈沖電流檢測(cè)
單電位階躍計(jì)時(shí)電量法CC	雙差分脈沖電流檢測(cè)
多電位階躍計(jì)時(shí)電流法	三脈沖電流檢測(cè)
多電位階躍計(jì)時(shí)電量法	積分脈沖電流檢測(cè)
恒電位電解I-T曲線	控制電位電解庫(kù)侖法

●宏方法（用戶可自編腳本進(jìn)行多種電化學(xué)方法的組合運(yùn)行）

三、配置單：

項(xiàng)目	品名	數(shù)量
1	RST電化學(xué)工作站主機(jī)	1臺(tái)
2	RST電子版程序軟件	1個(gè)
3	RST安裝使用說(shuō)明書	1本
4	3mm玻碳工作電極	1支
5	0.5*15mm鉑絲輔助電極	1支
6	232甘汞參比電極	1支
7	RST-30模擬電解池	1個(gè)
8	RS-232/USB數(shù)據(jù)線	1條
9	電極電纜線	1條
10	電源線	1條
11	DJ-3多功能電解池	1個(gè)
12	0.3um氧化鋁 電極磨料	1瓶
13	P-4拋光底板（帶拋光布）	1塊
14	短接線	2條
15	安裝調(diào)試儀器	1份