環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備國家標(biāo)準(zhǔn)GB目錄

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環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備國家標(biāo)準(zhǔn)GB目錄

  ■環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備
項(xiàng)目 規(guī)范條件 規(guī)范名稱（中文）
1 GB 10586-89 濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件
2 GB 10587-89 鹽務(wù)試驗(yàn)箱技術(shù)條件
3 GB 10588-89 長霉試驗(yàn)逄技術(shù)條件
4 GB 10589-89 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
5 GB 10590-89 低溫/低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)務(wù)件
6 GB 10591-89 高溫/低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件
7 GB 10592-89 高、低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
8 GB 11158-89 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
9 GB 11159-89 低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件
  ■環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法
1 GB/T 5170.1-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 總則
2 GB/T 5170.2-1996 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度試驗(yàn)設(shè)備
3 GB/T 5170.5-1996 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 濕熱試驗(yàn)設(shè)備
4 GB/T 5170.8-1996 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 鹽霧試驗(yàn)設(shè)備
5 GB/T 5170.9-1996 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 太陽輔射試驗(yàn)設(shè)備
6 GB/T 5170.10-1996 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 高低溫低氣壓試驗(yàn)設(shè)備
7 GB/T 5170.11-1996 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 腐蝕氣體試設(shè)備
8 GB 5170.13-85 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)（正弦）試驗(yàn)用機(jī)械振動(dòng)臺(tái)
9 GB 5170.14-85 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)（正弦）試驗(yàn)用電動(dòng)振動(dòng)臺(tái)
10 GB 5170.15-85 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 振動(dòng)（正弦）試驗(yàn)用液壓振動(dòng)臺(tái)
11 GB 5170.16-85 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 恒加速度試驗(yàn)用離心式試驗(yàn)機(jī)
12 GB 5170.17-87 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 低溫/低氣壓/濕熱綜合順序試驗(yàn)設(shè)備
13 GB 5170.18-87 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)設(shè)備
14 GB 5170.19-89 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)設(shè)備
15 GB 5170.20-89 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 水路試驗(yàn)設(shè)備
16 GB/T 2421-1999 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第1部分：總則
17 GB/T 2422-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 術(shù)語
18 GB/T 2423.1-1989 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法
19 GB/T 2423.2-1989 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法
20 GB/T 2423.1-1993 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
21 GB/T 2423.1-1993 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法
22 GB/T 2423.5-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊
23 GB/T 2423.6-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則:碰撞
24 GB/T 2423.7-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒
（主要用于設(shè)備型樣品）
25 GB/T 2423.8-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed:自由跌落
26 GB/T 2423.9-1989 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Cb:設(shè)備用恒定濕熱試驗(yàn)方法
27 GB/T 2423.10-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(dòng)（正弦）
28 GB/T 2423.11-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd:寬帶帶隨機(jī)振動(dòng)—一般要求
29 GB/T 2423.12-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬帶帶隨機(jī)振動(dòng)—高再現(xiàn)性
30 GB/T 2423.13-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬帶帶隨機(jī)振動(dòng)—中再現(xiàn)性
31 GB/T 2423.14-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬帶帶隨機(jī)振動(dòng)—低再現(xiàn)性
32 GB/T 2423.15-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
33 GB/T 2423.16-1999 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長霉
34 GB/T 2423.17-1993 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka;鹽霧試驗(yàn)方法
35 GB/T 2423.18-2000 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn) 試驗(yàn)Kb:鹽務(wù),交變（氯化鈉溶液）
36 GB/T 2423.19-1981 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
37 GB/T 2423.20-1981 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
38 GB/T 2423.21-1991 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)M:低氣壓試驗(yàn)方法
39 GB/T 2423.22-1987 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn)方法
40 GB/T 2423.23-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)Q:密封
41 GB/T 2423.24-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn) 試驗(yàn)Sa:模擬地面上的太陽輔射
42 GB/T 2423.25-1992 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
43 GB/T 2423.26-1992 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
44 GB/T 2423.27-1981 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)
45 GB/T 2423.28-1982 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法
46 GB/T 2423.29-1999 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
47 GB/T 2423.30-1999 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
48 GB/T 2423.31-1985 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
49 GB/T 2423.32-1985 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
50 GB/T 2423.33-1989 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
51 GB/T 2423.34-1986 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
52 GB/T 2423.35-1986 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/Afc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
53 GB/T 2423.36-1986 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)ZBFc: 散熱和非散熱樣品的高溫/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
54 GB/T 2423.371989 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)L:砂塵試驗(yàn)方法
55 GB/T 2423.38-1990 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)R:水試驗(yàn)方法
56 GB/T 2423.39-1990 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ee:彈跳試驗(yàn)方法
57 GB/T 2423.40-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
58 GB/T 2423.41-1994 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 風(fēng)壓試驗(yàn)方法
59 GB/T 2423.42-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 低溫/低氣壓/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
60 GB/T 2423.43-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 組件設(shè)備和其它産品在沖擊（Ea）、碰撞（Eb）、振動(dòng)（Fc和Fd）和穩(wěn)態(tài)加速度（Ga）等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
61 GB/T 2423.44-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eg：撞擊 彈簧錘
62 GB/T 2423.45-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/ABDM：氣候順序
63 GB/T 2423.46-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ef：撞擊 擺錘
64 GB/T 2423.47-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fg：聲振
65 GB/T 2423.48-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ff：振動(dòng)---時(shí)間歷程法
66 GB/T 2423.49-1997 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fe：振動(dòng)---正弦拍頻法
67 GB/T 2423.50-1999 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cy：恒定濕熱主要用于組件的加速試驗(yàn)
68 GB/T 2423.51-2000 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ke：流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)
69 GB/T 2424.1-1989 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則
70 GB/T 2424.2-1993 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則
71 GB/T 2424.10-1993 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則
72 GB/T 2424.11-1982 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
73 GB/T 2424.12-1982 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則
74 GB/T 2424.13-1981 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
75 GB/T 2424.14-1993 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第2部份：試驗(yàn)方法 太陽輔射試驗(yàn)導(dǎo)則
76 GB/T 2424.15-1992 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
77 GB/T 2424.17-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則
78 GB/T 2424.19-1984 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 模擬貯存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則
79 GB/T 2424.20-1985 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則
80 GB/T 2424.21-1985 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則
81 GB/T 2424.22-1986 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度（低溫、高溫）和振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
82 GB/T 2424.23-1990 電工電子産品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 水試驗(yàn)導(dǎo)則
83 GB/T 2424.24-1995 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 溫度（低溫、高溫）和振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
84 GB/T 2424.25-2000 電工電子産品環(huán)境試驗(yàn) 第3部份：試驗(yàn)導(dǎo)則 地震試驗(yàn)方法
85 GB/T 10593.1-1989 電工電子産品環(huán)境參數(shù)測(cè)量方法 振動(dòng)
86 GB/T 10593.2-1990 電工電子産品環(huán)境參數(shù)測(cè)量方法 鹽霧
87 GB/T 10593.1-1989 電工電子産品環(huán)境參數(shù)測(cè)量方法 振動(dòng)數(shù)據(jù)處理和歸納

■環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備其它類
項(xiàng)目 規(guī)范條件 規(guī)范名稱（中文） 規(guī)范名稱（英文） 整合
1 GB/T 1772-1979 電子元器件失效率試驗(yàn)方法 

Determination of failure rate of electronic elements ａnd components 
2 GB/T 2689.1-1981 恒定應(yīng)力壽命試驗(yàn)和加速壽命試驗(yàn)方法總則 

Constant stress life tests ａnd acceleration life tests--General rules 
3 GB/T 4166-1984 電子設(shè)備用可變電容器的試驗(yàn)方法 

Methods of test of variable capacitors in electronic equipment IEC 60418-1-81
4 GB/T 4619-1996 液晶顯示器件測(cè)試方法 

Measuring methods for liquid crystal display devices 
5 GB/T 4677.1-1984 印刷電路板表層絕緣電阻測(cè)試方法 

Test method of surface insulation resistance for printed boards IEC 60326-2-76
6 GB/T 4677.2-1984 印刷電路板金屬化孔鍍層厚度測(cè)試方法 微電阻法 

Micro-resistance test method of plating thickness of platedthrough holes for printed boards IPC TM-650
7 GB/T 4677.3-1984 印刷電路板拉脫強(qiáng)度測(cè)試方法

 Test methods of pull strength for printed boards IEC 60326-2-76
8 GB/T 4677.4-1984 印刷電路板抗剝強(qiáng)度測(cè)試方法

 Test methods of peel strength for printed boards IEC 60326-2-76
9 GB/T 4677.5-1984 印刷電路板翹曲度測(cè)試方法

 Test methods of platness for printed boards IPC D-300
10 GB/T 4677.10-1984 印刷電路板可焊性測(cè)試方法 

Test method of solderability for printed boards IEC 60068-2-20C
11 GB/T 4677.11-1984 印刷電路板耐熱沖擊試驗(yàn)方法 

Test methods of thermal shock for printed boards IEC 60326-2-76
12 GB/T 4677.12-1988 印刷電路板互連電阻測(cè)試方法 

Test method of interconnection resistance for printed boards IEC 60326-2-76
13 GB/T 4677.13-1988 印刷電路板金屬化孔電阻的變化 熱循環(huán)測(cè)試方法 

Test method of change in resistance of plated-through holes--Thermal cycling for printed boards IEC 60326-2A-80
14 GB/T 4677.14-1988 印刷電路板蒸汽-氧氣加速老化試驗(yàn)方法

 Test method of steam/oxygen accelerated ageing of printed board IEC 60326-2A-80
15 GB/T 4677.17-1988 多層印刷電路板內(nèi)層絕緣電阻測(cè)試方法 

Test method for insulation resistance within inner layers of multilayer printed boards IEC 60326-2-76
16 GB/T 4677.18-1988 多層印刷電路板層間絕緣電阻測(cè)試方法

 Test method for insulation resistance between layers of multilayer printed boards IEC 60326-2-76
17 GB/T 7613.1-1987 印刷電路板導(dǎo)線耐電流試驗(yàn)方法 

Test method for current proof of conductors on printed boards 
18 GB/T 7613.2-1987 印刷電路板表層耐電壓試驗(yàn)方法

 Test methods for voltage proof of surface layers on printed boards 
19 GB/T 12631-1990 印制導(dǎo)線電阻測(cè)試方法 

Test method for resistance of conductor of printed boards IEC 60326-2-76

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何國瑞

He Guorui

銷售代表：

Sales Representative 

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