LED防爆平臺(tái)燈50W

產(chǎn)品特點(diǎn)

◎  外殼采用鋁合金壓鑄成型，經(jīng)拋丸處理后高壓靜電噴塑；

◎  透明罩采用聚碳酸酯材料，透光率高，抗沖擊，抗光老化；

◎  高亮度LED光源體積小、光效高、功耗低、理論壽命長(zhǎng)達(dá)100000小時(shí)；

◎  復(fù)合型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，接線腔采用增安型結(jié)構(gòu)，電源連接方便快捷；

◎  寬電壓范圍，滿(mǎn)足用戶(hù)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的使用要求；

◎  特殊設(shè)計(jì)的密封結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品防護(hù)等級(jí)高；

◎  精心設(shè)計(jì)的安裝附件，安裝方便快捷；

◎  外露緊固件采用不修鋼材質(zhì)；

◎  LED防爆平臺(tái)燈50W鋼管或電纜布線。

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本產(chǎn)品嚴(yán)格按照IS9001:2000質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行質(zhì)量控制,確保產(chǎn)品高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，*達(dá)到設(shè)計(jì)要求,自購(gòu)買(mǎi)之日起3年內(nèi)（光源1年）,產(chǎn)品正常使用下出現(xiàn)任何故障由本公司免費(fèi)維修。

適用范圍

¤  適用于1區(qū)、2區(qū)危險(xiǎn)場(chǎng)所；

¤  適用于ⅡA、ⅡB、ⅡC類(lèi)爆炸性氣體環(huán)境；

¤  適用于爆炸性氣體混合溫度：T1~T4；

¤  廣泛用于石油，化工、冶金，*，醫(yī)藥等危險(xiǎn)環(huán)境。

技術(shù)參數(shù)

●  執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB3836.1-2000、GB3836.2-2000、IEC60079；

●  防爆標(biāo)志：Exe IIT4；

●  額定電壓：AC220V/50Hz；

●  額定功率：10---200W

●  色溫：普通白光；5500-6500K

●  普通黃光：2700-3000K

●  光效（IM/W);90～100

●  顯色性：80（普通白）

●  光通量：

         40W   4000-4400  

         50W   5000-5500

         60W   6000-6600

●  外形尺寸300X240X215           

　首先，2012年上游產(chǎn)能逐步釋放，LED防爆平臺(tái)燈50W外延芯片價(jià)格壓力仍將持續(xù)，國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升，國(guó)內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)加劇波及大功率芯片。

　　2011年，國(guó)內(nèi)的MOCVD總數(shù)達(dá)到720臺(tái)，按目前各公司調(diào)整后的設(shè)備引進(jìn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)2012年MOCVD的安裝量將維持在300臺(tái)左右的水平。2011年，國(guó)內(nèi)企業(yè)芯片營(yíng)收增長(zhǎng)30%，達(dá)到65億元，但遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及MOCVD設(shè)備106%的增速，這也反映出國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)能未能充分發(fā)揮，2012年外延芯片價(jià)格壓力仍將持續(xù)。

　　2011年，國(guó)內(nèi)GaN芯片產(chǎn)能增長(zhǎng)達(dá)到12000kk/月，但產(chǎn)能利用不足50%，全年產(chǎn)量?jī)H為710億顆，但國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%以上。同時(shí)，國(guó)內(nèi)芯片已經(jīng)通過(guò)小芯片集成的方式在照明應(yīng)用取得突破;大功率照明芯片20%的*仍然較低，但隨著研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)品品質(zhì)的提升，總體趨勢(shì)是國(guó)內(nèi)芯片占有率小幅提高，國(guó)外芯片價(jià)格有望突破6000RMB/K。

　　盡管2011年末LED市場(chǎng)增量放緩，但仍有來(lái)自日本和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的上游項(xiàng)目入駐中國(guó)大陸，這也造成2012年國(guó)內(nèi)LED外延芯片領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)加劇，在宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)持續(xù)動(dòng)蕩的形勢(shì)下，國(guó)內(nèi)上游產(chǎn)業(yè)投資將趨謹(jǐn)慎。

　　其次，2012年封裝領(lǐng)域，優(yōu)質(zhì)企業(yè)將整合更多行業(yè)資源，LED防爆平臺(tái)燈50W產(chǎn)品結(jié)構(gòu)向高亮LED、SMDLED集中，總體市場(chǎng)保持增量減利趨勢(shì)，上下游合作整合成為封裝企業(yè)突圍的新模式。

　　2011年，以國(guó)星光電、瑞豐光電、鴻利光電為首的LED封裝企業(yè)陸續(xù)發(fā)力、紛紛入市，2012年資本與封裝企業(yè)的合作將更加緊密與活躍。

　　2011年，我國(guó)LED封裝產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到285億元，較2010年的250億元增長(zhǎng)14%，產(chǎn)量則由2010年的1335億只增加到1820億只，增長(zhǎng)36%。2012年，國(guó)內(nèi)封裝產(chǎn)量依然會(huì)保持30%以上的增長(zhǎng)，但由于利潤(rùn)率受到上下游成本與需求的擠壓，造成總體產(chǎn)值增長(zhǎng)不會(huì)超過(guò)20%。

　　從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看，高亮LED產(chǎn)值達(dá)到265億元，占LED封裝總銷(xiāo)售額的90%以上;SMDLED封裝增長(zhǎng)zui為明顯，已經(jīng)成為L(zhǎng)ED封裝的主 品，2012年，SMD和高亮LED所占比例仍將有有較大提升。

　　LED封裝企業(yè)作為產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，往往需要承受來(lái)自縱向與橫向兩個(gè)方面的競(jìng)爭(zhēng)壓力，盡管2011年的資本介入增加了部分LED封裝企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)籌碼，然而，整合突圍仍然是落在封裝企業(yè)肩頭的一副重?fù)?dān)。據(jù)筆者獲悉，目前一些封裝企業(yè)已經(jīng)展開(kāi)了與國(guó)內(nèi)傳統(tǒng)照明大廠的合作，共同投資、合作建廠的模式或許會(huì)成為這條突圍路上的新嘗試。

　　再有，2012年LED應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒈３州^快增長(zhǎng)，照明、景觀、背光仍是拉動(dòng)增長(zhǎng)的三駕馬車(chē)，LED照明應(yīng)用熱點(diǎn)進(jìn)一步從戶(hù)外照明轉(zhuǎn)向室內(nèi)，市場(chǎng)需求和國(guó)內(nèi)政策引導(dǎo)將成為決定LED照明增長(zhǎng)速度的關(guān)鍵要素。LED照明應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)格局存在諸多變數(shù)，具有資金、規(guī)模、技術(shù)、品牌和市場(chǎng)渠道優(yōu)勢(shì)的企業(yè)成為產(chǎn)業(yè)整合的主體。