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武漢泰特沃斯科技有限公司
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更新時間:2022-10-16 09:40:14瀏覽次數(shù):435次
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隨著氣相色譜技術(shù)的不斷成熟,國內(nèi)外相關(guān)儀器廠家仍然不斷推出性能更穩(wěn)定、功能更全面、自動化程度更高的氣相色譜儀,特別是國產(chǎn)色譜儀的進步更加明顯,國產(chǎn)氣相色譜儀具有較高的*,武漢泰特沃斯科技有限公司,是的氣相色譜儀供應(yīng)商。
隨著氣相色譜技術(shù)的不斷成熟,國內(nèi)外相關(guān)儀器廠家仍然不斷推出性能更穩(wěn)定、功能更全面、自動化程度更高的氣相色譜儀,特別是國產(chǎn)色譜儀的進步更加明顯,國產(chǎn)氣相色譜儀具有較高的*,武漢泰特沃斯科技有限公司,是國內(nèi)的氣相色譜儀供應(yīng)商。
氣相色譜儀分析四氟化硅氣體中微量雜質(zhì)
以下由武漢泰特沃斯科技有限公司色譜技術(shù)人員介紹一種利用雙通道氦離子化氣相色譜儀(PDHID) ,分析四氟化硅中微量硅烷、磷烷、氟代烷、C2 ~ C3 碳氫化合物以及常見氣體雜質(zhì)的方法。由于四氟化硅具有很強的腐蝕性,在對其進行分析時,利用閥切割系統(tǒng)將大量的四氟化硅主要成分切割,及時地將四氟化硅反吹出去,使其不進入檢測器系統(tǒng)。經(jīng)過將四氟化硅氣體進樣檢測驗證,該方法能夠有效測定四氟化硅氣體中多種微量雜質(zhì)。
四氟化硅( SiF4 ) 在電子和半導(dǎo)體行業(yè)中具有重要作用,主要用作硅化鉭、氮化硅等的蝕刻劑,P 型摻雜劑及外延沉積擴散硅源。高純度SiF4 還可以用于制備電子級硅烷或多晶硅。隨著行業(yè)的發(fā)展,SiF4 氣體需求量的增大,對SiF4 氣體純度要求也越來越高,各個生產(chǎn)廠家制定了各自的產(chǎn)品技術(shù)要求。半導(dǎo)體器件性能的好壞,很大程度上取決于所用電子氣體的質(zhì)量,電子氣體純度每提高一個數(shù)量級,都會*地推動半導(dǎo)體器件質(zhì)的飛躍。然而,產(chǎn)品SiF4 中,或多或少存在一些雜質(zhì),雜質(zhì)的種類和含量取決于生產(chǎn)工藝。由于SiF4 氣體性質(zhì)非常活潑,很容易與其他物質(zhì)反應(yīng),給檢測帶來了很大的困難。
工業(yè)上制得的SiF4 中往往含有一些雜質(zhì),主要包括硅烷、磷烷、氟代烷、C2 ~ C3 碳氫化合物以及常見氣體雜質(zhì)等,這些雜質(zhì)的存在嚴重影響了SiF4 的使用性能,但從實際生產(chǎn)中,又不能將雜質(zhì)*去除。目前,用單通道氦離子化氣相色譜儀能檢測出SiF4 氣體中的氣體雜質(zhì)主要有H2、O2、N2、CH4、CO、CO2、H2S 以及SO2; 有報道稱C1 ~ C4 碳氫化合物也可以用TSVET-100 氣相色譜儀檢測出,檢測限能達到2 × 10 - 6 ;Vaks 等將高分辨率紅外光譜儀和微波波譜儀聯(lián)合起來,研發(fā)了TMGS 法對SiF4 中CHF3、CH2F2 和CH3F進行檢測。但以上方法均不能實現(xiàn)同時檢測出硅烷、磷烷、氟代烷、C2 ~ C3 碳氫化合物以及常見氣體等雜質(zhì)。因此,必須研發(fā)相對應(yīng)的檢測技術(shù),檢測指標覆蓋范圍廣,從而保證SiF4 的質(zhì)量能夠滿足不同生產(chǎn)應(yīng)用的要求。
脈沖放電氦離子檢測器( PDHID) 是PDD 系列中zui為成功的一種檢測器,與其它離子化檢測器比較它有許多*的特性,對幾乎所有無機和有機化合物均有很高的響應(yīng),特別適合高純氣體的分析。SiF4 氣體中有很多C2 ~ C3 碳氫化合和氟代烷烴雜質(zhì),常用的氫火焰( FID) 、熱導(dǎo)檢測器難以滿足檢測需要,單通道氦離子化檢測器只能檢測常見的氣體雜質(zhì),如H2、O2、N2、CO、CO2 等,無法檢測C2 ~ C3 碳氫化合物和氟代烷等雜質(zhì)氣體,雙通道氦離子化氣相色譜是利用兩條不同的分析管路,同時對SiF4 中不同的雜質(zhì)氣體進行檢測,采用程序升溫,使雜質(zhì)氣體更容易被檢出,檢測范圍廣,因此,雙通道氦離子化檢測器更能滿足SiF4 氣體中雜質(zhì)的檢測要求。
由于SiF4 純度較高( ≥99. 99%) ,化學性質(zhì)比較活潑,在空氣中遇水極易潮解,產(chǎn)生HF 和硅酸,對設(shè)備腐蝕性較大,也很容易造成管路堵塞。在檢測前,以高純氦氣充分吹掃管路后,采用三通閥切換進樣,利用預(yù)處理柱,將SiF4 主成分分離后,采用閥切割方法,將SiF4 主成分切割放空,使其無法進入檢測器系統(tǒng),當主組分*放空后,剩余的其它組分進入分析過程。
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