主要特點(diǎn)：

ARL Quant’X 熒光能譜儀
具有廣泛的應(yīng)用如:ROHS-WEEE電子廢棄物中重元素分析,各種合金及貴金屬成分分析,環(huán)境污染氣溶膠的測(cè)度, 考古文物保護(hù),刑偵痕量分析,營(yíng)養(yǎng)品分析,磁性介質(zhì)和半導(dǎo)體的薄膜渡層厚度分析,各種油品中成分分析,納米至微米鍍層厚度測(cè)量,土壤,催化劑,礦石,原材料等.

用于材料的無損分析可選擇液氮致冷或電致冷Si(Li) 探測(cè)器 從氟至鈾的多元素分析測(cè)定的濃度范圍一般可以從ppm級(jí)至99% 技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)：

ARL Quant’X 熒光能譜儀
應(yīng)對(duì)RoHS指令 ――快速分析

超大Si(Li) 晶體，具有*的痕量分析的靈敏度，打破lng的檢測(cè)限壁壘
全數(shù)字脈沖處理器技術(shù)，死時(shí)間達(dá)60%， 以及優(yōu)異的峰背比
高級(jí)FP無標(biāo)樣分析軟件，進(jìn)行無標(biāo)樣分析，減少對(duì)標(biāo)樣的依賴性
高靈敏電制冷Si(Li) 探測(cè)器技術(shù), 儀器免維護(hù)和*運(yùn)行
超大樣品室，可容納300mm*(乘號(hào))400mm的樣品
全自動(dòng)校準(zhǔn)，自動(dòng)監(jiān)測(cè)，自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)，*計(jì)算機(jī)控制
鍍層和薄膜測(cè)量技術(shù), 具有無標(biāo)樣分析測(cè)厚技術(shù)