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更新時間:2022-11-03 15:39:01瀏覽次數(shù):185次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線1.2θ平面與ψ平面相垂直;2.使入射線與線陣探測器的垂直平分線關(guān)于ψ平面對稱分布;3.對于不同的材料、靶材和衍射角,需要改變2θ范圍時,采用步進(jìn)電機、鋼帶傳動,同步地、對稱地改變X射線管和探測器的位置,維持正確的側(cè)傾法衍射幾何布置。
測角儀側(cè)傾法結(jié)構(gòu):
其主要特點:
1.2θ平面與ψ平面相垂直;
2.使入射線與線陣探測器的垂直平分線關(guān)于ψ平面對稱分布;
3.對于不同的材料、靶材和衍射角,需要改變2θ范圍時,采用步進(jìn)電機、鋼帶傳動,同步地、對稱地改變X射線管和探測器的位置,維持正確的側(cè)傾法衍射幾何布置。
探測器:
瑞士DECTRIS公司的微帶X射線探測器(Microstrip X-ray Detectors)。該探測器的接收部分由640硅微帶組成,每條硅微帶的寬度為50μm,能夠靈敏地接收達(dá)到一定能量閾值的單個X光子,實現(xiàn)所謂的無噪聲單光子計數(shù),并且具有抗輻射、免維護和無限壽命的特點。
技術(shù)參數(shù):
測量方法,其特點如下:
正確的側(cè)傾法(或稱為χ法、ψ測角儀,基本免除吸收因子影響)。
允許設(shè)置多個正負(fù)ψ角和φ角進(jìn)行測試測試(解決織構(gòu)材料應(yīng)力測試、三維應(yīng)力測試問題)。
擺動法(解決粗晶材料的應(yīng)力測試問題)。
殘余奧氏體含量測定。
被測材料:適合于鐵素體型、奧氏體型鋼、鋁、鈦、鎳,和金、銀、鉑等貴金屬,以及氧化鋯等陶瓷材料。
X射線管:Cr、Cu、Mn靶材。
高壓電源:功率30kV×10mA。
探測器:硅微帶線陣探測器(無噪聲單光子計數(shù),抗輻射、免維護和無限壽命)。640通道。覆蓋范圍24°。
2θ范圍:117°~170°,2θ分辨率0.0375°。
ψ角范圍:±60°。
準(zhǔn)直管:內(nèi)徑為?0.5mm、?1mm、?1.5mm、?2mm、?3mm計5個規(guī)格,可以更換。
測試點定位:采用激光定位器。
X射線管冷卻系統(tǒng):封閉恒溫循環(huán)水箱。
輻射:在儀器工作狀態(tài),防護罩之外輻射劑量等同于大氣本底,無防護的條件下,2米之外的輻射劑量等同于大氣本底。
電源:2000W,220V,50Hz。
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