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納米壓印機(jī)PL-T

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納米壓印機(jī)PL-T

詳細(xì)介紹


納米壓印機(jī)PL-T

納米壓印機(jī)的基本思想是通過(guò)模版,將圖形轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的襯底上,轉(zhuǎn)移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜,通過(guò)熱壓或者輻照等方法使其結(jié)構(gòu)硬化從而保留下轉(zhuǎn)移的圖形。整個(gè)過(guò)程包括壓印和圖形轉(zhuǎn)移兩個(gè)過(guò)程。根據(jù)壓印方法的不同,NIL主要可分為熱塑(Hot embossing)、紫外固化UV和微接觸(Micro contact printing, uCP)三種光刻技術(shù)。


主要功能

納米壓印機(jī)的主要功能是將圖形轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的襯底上,轉(zhuǎn)移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜,通過(guò)熱壓或者輻照等方法使其結(jié)構(gòu)硬化從而保留下轉(zhuǎn)移的圖形。壓印技術(shù)主要分為以下兩種:

熱壓:首先在襯底上涂上一層薄層熱塑形高分子材料(如PMMA)。升溫并達(dá)到此熱塑性材料的玻璃化溫度Tg(Glass transistion temperature)之上。熱塑性材料在高彈態(tài)下,將具有納米尺度的模具壓在上面,并施加適當(dāng)?shù)膲毫?,熱塑性材料?huì)填充模具中的空腔,模壓過(guò)程結(jié)束后,溫度降低使熱塑性材料固化,從而得到與模具的重合的圖形。隨后移去模具,并進(jìn)行各相異性刻蝕去除殘留的聚合物。接下來(lái)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。圖形轉(zhuǎn)移可以采用刻蝕或者剝離的方法??涛g技術(shù)以熱塑性材料為掩膜,對(duì)其下面的襯底進(jìn)行各向異性刻蝕,從而得到相應(yīng)的圖形。剝離工藝先在表面鍍一層金屬,然后用有機(jī)溶劑溶解掉聚合物,隨之熱塑性材料上的金屬也將被剝離,從而在襯底上有金屬作為掩膜,隨后再進(jìn)行刻蝕得到圖形。

紫外壓?。簽榱烁纳茻釅河≈袩嶙冃蔚娜秉c(diǎn),特克薩斯大學(xué)的C. G. willson和S. v. Sreenivasan開發(fā)出步進(jìn)-閃光壓?。⊿tep- Flash Imprint Lithography),這種工藝中采用對(duì)紫外透明的石英玻璃(硬模)或PDMS(軟模),光阻膠采用低粘度,光固化的單體溶液。先將低粘度的單體溶液滴在要壓印的襯底上,結(jié)合微電子工藝,薄膜的淀積可以采用旋膠覆蓋的方法,用很低的壓力將模版壓到晶圓上,使液態(tài)分散開并填充模版中的空腔。透過(guò)模具的紫外曝光促使壓印區(qū)域的聚合物發(fā)生聚合和固化成型。后刻蝕殘留層和進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移,得到高深寬比的結(jié)構(gòu)。后的脫模和圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程同熱壓工藝類似。

技術(shù)能力

該設(shè)備的發(fā)明人2001年至 2003 年,在納米壓印技術(shù)發(fā)明人、 美國(guó)普林斯頓大學(xué) StephenY.Chou 教授的納米結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室作為研究助理進(jìn)行了為期 3 年的研究工作,發(fā)展了紫外光固化納米壓印工藝與材料,對(duì)納米壓印技術(shù)的發(fā)展做出了重要的貢獻(xiàn)。2004 年加入材料科學(xué)與工程系后繼續(xù)圍繞納米微加工技術(shù)與納米壓印技術(shù)開展研究工作,研發(fā)了數(shù)種新型納米壓印材料,發(fā)展了新型高分子壓印模板,提出了曲面納米壓印技術(shù);利用 863 課題“紫外光固化和熱壓兩用納米壓印設(shè)備的研制與應(yīng)用"項(xiàng)目的支持,研制成功具有紫外光固化和熱壓功能兩用納米壓印設(shè)備,現(xiàn)已成為產(chǎn)品,并被南京大學(xué)、北京航空航天大學(xué)、國(guó)防科技大學(xué)、黑龍江大學(xué)、中科院深圳研究院等多家高校和科研機(jī)構(gòu)所采用,形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的納米壓印核心技術(shù),技術(shù)水準(zhǔn)與當(dāng)前國(guó)際該領(lǐng)域水平同步。

技術(shù)參數(shù)

機(jī)器名稱納米壓印機(jī)(氣壓式)
型號(hào)PL-T-75PL-T-100
壓印樣品尺寸3英寸4英寸
固化方式熱固化熱固化、紫外固化
紫外光源———LEDUV固化燈
主波長(zhǎng)———365nm
尺寸規(guī)格400mm(L)*500mm(W)*800mm(G)
重量100 KG
電源電壓220V,50Hz
總功率2.0KW
極限真空度-95kPa
壓強(qiáng)1.0MPa
加熱方式220V,500W電熱絲
冷卻方式流動(dòng)空氣冷卻
溫控范圍室溫-250℃
光源功率250W
控制系統(tǒng)西門子PLC及觸摸屏
工作環(huán)境超凈間、溫度0-38℃
機(jī)器噪聲≤50dB
機(jī)器表面外觀噴漆

應(yīng)用

納米壓印技術(shù)是目前納米溝道加工的主要技術(shù)。傳統(tǒng)的光刻技術(shù)主要是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學(xué)性質(zhì),進(jìn)而得到相應(yīng)的納米圖形。而納米壓印技術(shù)則可以在不使用電子和光子的前提下,直接利用物理學(xué)機(jī)理機(jī)械地在光刻膠上構(gòu)造納米尺寸圖形。正是由于這種機(jī)械作用,使得納米壓印技術(shù)不再受到光子衍射和電子散射的限制,可大面積地制備納米級(jí)圖形。同時(shí),由于這項(xiàng)技術(shù)所用的設(shè)備簡(jiǎn)單,制備時(shí)間短,壓印模板可以重復(fù)使用,所以應(yīng)用該技術(shù)制備納米圖形所需的成本也較低。目前典型的三類納米壓印技術(shù)分別是:熱壓印,紫外固化壓印,微接觸印刷。分別適用在其各自的領(lǐng)域:

熱壓印技術(shù):光電、光學(xué)器件;微型機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域。

紫外固化壓印技術(shù):納米光電器件、納米電子器件的生產(chǎn);NEMS和MEMS加工;半導(dǎo)體集成電路的制造。

微接觸印刷技術(shù):生物芯片和微流體器件的生產(chǎn);生物傳感器(抗體光柵);微機(jī)械元件的生產(chǎn)。

加工工藝來(lái)分,主要包含五大部分:壓印,刻蝕,鍍膜,檢測(cè)&表征與其他。所涉及的儀器設(shè)備主要包括:納米壓印機(jī),感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī),電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī),原子力顯微鏡&掃描電鏡,以及超聲波清洗機(jī)&真空干燥箱等。

Sandwiched Flexible Polymer-SFP® & Hybrid Mold®軟模板壓印技術(shù)

盡可能消除灰塵顆粒對(duì)于納米壓印結(jié)果產(chǎn)生的影響

在不規(guī)則表面或者曲面進(jìn)行納米壓?。ㄉ蠄D為單模光纖進(jìn)行的納米壓印)


Nickel Template金屬鎳模板熱壓技術(shù)


直接對(duì)于聚合物襯底(PMMA、PET等材料上)直接熱壓,免去了刻蝕環(huán)節(jié)。

鎳模板壽命長(zhǎng),適合高溫高壓連續(xù)壓印。

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