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ICP-5000全自動(dòng)感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

本產(chǎn)品是在“全自動(dòng)ICP"的基礎(chǔ)上增加了進(jìn)樣室、真空鎖和機(jī)械手自動(dòng)取送樣片裝置而成的設(shè)備

詳細(xì)介紹

本產(chǎn)品是在“全自動(dòng)ICP"的基礎(chǔ)上增加了進(jìn)樣室、真空鎖和機(jī)械手自動(dòng)取送樣片裝置而成的設(shè)備。

詳細(xì)描述

本產(chǎn)品具有三種功能：等離子體刻蝕(PE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同，既有純化學(xué)的，也有物理與化學(xué)相結(jié)合的模式。它既可以進(jìn)行細(xì)線(xiàn)條（納米）加工，又可以進(jìn)行體加工。

本設(shè)備具有選擇比好，刻蝕速度快、重復(fù)性好等特點(diǎn)，它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用范圍更廣。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本產(chǎn)品通過(guò)對(duì)真空系統(tǒng)、工作壓強(qiáng)、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過(guò)程的全自動(dòng)控制，使工藝的重復(fù)性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證，并能精確地控制圖形的剖面，從而獲得好的刻蝕效果。

本設(shè)備的數(shù)字化參數(shù)界面和自動(dòng)化操作方式為用戶(hù)提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺(tái)。

本設(shè)備所增加的進(jìn)樣室和機(jī)械手自動(dòng)取送片裝置使設(shè)備的自動(dòng)化程度更高，并能使刻蝕室的真空與工作環(huán)境得以改善，體刻蝕效果更佳。

本產(chǎn)品通過(guò)軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線(xiàn)狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)等設(shè)計(jì)，結(jié)合各種硬保護(hù)裝置、使設(shè)備的安全性、可靠性得到有效保證。

本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

產(chǎn)品主要性能指標(biāo)

型號(hào)	ICP-5000
真空系統(tǒng)	進(jìn)樣室：機(jī)械泵系統(tǒng)；刻蝕室：分子泵機(jī)組
刻蝕室數(shù)量	單室
刻蝕室規(guī)格	?300×280mm
電極尺寸	?200mm
刻蝕材料	Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N₄、W、Mo、GaN、GaAs等
刻蝕速率	～4 μ/min （與刻蝕材料和工藝有關(guān)）
刻蝕不均勻性	≤±5%
自動(dòng)化程度	真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過(guò)程全自動(dòng)控制。
人機(jī)界面	Windows環(huán)境、觸摸屏操作
操作方式	全自動(dòng)方式、非全自動(dòng)方式
自動(dòng)化裝置的選配	可選擇進(jìn)口件或國(guó)產(chǎn)件