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LIC770/01 光源發(fā)射器德國(guó)EMG 原裝現(xiàn)貨

光發(fā)射器集成，由光源（激光器或發(fā)光二極管）及其驅(qū)動(dòng)電路（有時(shí)也加監(jiān)控或其它電路）組成的具有光發(fā)射功能的混合集成模塊或單片集成組件。

簡(jiǎn)介

驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠的電流，因此要求搭配大電流的電器件。光發(fā)射器制作的關(guān)鍵問(wèn)題是降低激光器的閾值電流。GaAs系量子阱（QW）激光器閾值電流為毫安量級(jí)，GaAs MESFET（金屬特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)管）可提供符合要求的驅(qū)動(dòng)電流，已有GaAs系光發(fā)射器集成。但適合1.3μm，1.5μm波長(zhǎng)光纖通信發(fā)送電路用的InP系激光器（不論是異質(zhì)結(jié)構(gòu)還是量子阱結(jié)構(gòu)），閾值電流還較高，達(dá)十幾毫安，只制成了混合集成系列光發(fā)射器模塊。單片集成的電器件很不成熟，工藝難度很大。對(duì)MISFET（金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）、JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。將它們和激光器集成在InP基片上的工藝兼容性還有許多問(wèn)題尚待解決。

此外，研究最多的是發(fā)射波長(zhǎng)為1.55μm的帶穩(wěn)頻的波長(zhǎng)可調(diào)諧的分布反饋激光器列陣，它是頻分復(fù)用及相干光通信系統(tǒng)迫切需要的光發(fā)射器集成組件。

發(fā)射器類型

最適宜制作各種短波長(zhǎng)和長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器的GaAs和InP材料,同時(shí)又是制作微波晶體管等高速電子線路以及雪崩光電二極管(APD)等高速光電探測(cè)器的良好材料。OEIc繼承了GaAs和IoP集成電路的高速性和光電器件的功能性,因而具有更強(qiáng)的功能和突出的性。由于在Ga人s襯底上已經(jīng)得到了性能優(yōu)良的結(jié)型探測(cè)器、激光器(LD)和場(chǎng)效品體管F(ET),并且制作工藝也較成熟。1978年Ya:vi實(shí)驗(yàn)室在GaAs襯底上實(shí)現(xiàn)了GaAIAs激光器和一個(gè)耿氏(Gu,In)器件的集成。此后許多實(shí)驗(yàn)室相繼做出了各種結(jié)構(gòu)的OEIC,文實(shí)現(xiàn)了LD/F（ET）的集成，得到了光電探測(cè)器與FET的集成和中繼器的單片集成。OEIC具有許多性。它不僅由于集成了光電的多功能性，而且降低了寄生電容和寄生電感而極大地提高了速度,降低了噪聲。另外,多元件的單片集成減少了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)所需要的元件數(shù)目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同時(shí)也減小了功耗。自1969年Millc:等191提出“集成光學(xué)"的概念以來(lái),主要沿著兩個(gè)方向發(fā)展,一個(gè)方向是OEIC。另一個(gè)方向是集成光路(OIC)它是在一塊固體基片上,把光學(xué)元、器件集成一體,使之成為具有某種高級(jí)功能的光回路。l[前主要是在具有強(qiáng)光電效應(yīng)的LINbO3(泥酸銼),錯(cuò)體上集成。但期望的是在G。A、和nIP襯底上制做光學(xué)元、器件,從而制作具有更強(qiáng)功能的OEIC。

OEIC的發(fā)展將使超大容量光通信、超高速信息處理、高精度測(cè)距等一系列領(lǐng)域產(chǎn)生質(zhì)的飛躍。目前,國(guó)際上已經(jīng)設(shè)計(jì)制作了多種結(jié)構(gòu)的OEIC發(fā)射器(包括LD或LED、驅(qū)動(dòng)電路和監(jiān)控電路)、中繼器(包括LD、晶體管放大器、光電探測(cè)器)和接收器(包括光電探測(cè)器和低噪聲前置放大器)。從目前情況來(lái)看,GaAs光電子集成發(fā)射器最有希望早日達(dá)到實(shí)用化程度。通過(guò)近幾年來(lái)對(duì)OEIC的探索與研究,關(guān)于它的可能應(yīng)用前景已越來(lái)越明朗了,所涉及的領(lǐng)域?qū)⑹欠浅V泛的,譬如超高速計(jì)算機(jī)內(nèi)各芯片及各功能片之間的連接、計(jì)算機(jī)網(wǎng)、長(zhǎng)途高速率光纖通信(對(duì)于GaAs系列可以用于光纖通信系統(tǒng)的局部網(wǎng))、光纖傳感和未來(lái)的光計(jì)算機(jī)等等。

首先在SI襯底上腐蝕出一個(gè)槽而,讓槽的深度等于激光器的厚度。在槽里生長(zhǎng)激光器的外延層,然后二次外延生長(zhǎng)FE獷r結(jié)構(gòu)。這里由于采用了二次外延技術(shù),增加了工藝的難度,因而降低了可乖復(fù)性。光電子器件的厚度為3一6“m,比電子器件大許多倍,這給光刻和連線帶來(lái)了困難,為解決這一矛后采用了電化學(xué)拋光和選擇腐蝕。襯底材料和外延層對(duì)OEIC的制造都非常重要,為了獲得長(zhǎng)壽命和較好的工作特性,要求襯底材料必須具有大面積均勻、高純度及較低的位惜和缺陷密度。外延層通常用于制作光電器件,目前用LFE法生長(zhǎng)的激光器和探測(cè)器已可以得到較高的量子效率,用MBE和MOCVD的方法不僅可以得到較高光學(xué)質(zhì)量的晶體,而且具有高均勻性和可重復(fù)性,因而更適合于OEIC的制作。激光器是OEIC中非常重要的一部分,它必須滿足以下要求:(1)低閥值電流,(2)閥值電流對(duì)溫度的依存關(guān)系較弱,(3)穩(wěn)定的單模和窄譜線輸出,(4)高調(diào)制速率。從低閥值電流的角度來(lái)看,掩埋型異質(zhì)結(jié)構(gòu)(EH)激光器較為理想,而且許多已做出的OEIC就是采用的BH-LD,不過(guò)由于BH-LD制作復(fù)雜,所以也采用了許多結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的激光器

EMG LIC1075/11光源發(fā)射器

EMG 對(duì)中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50

EPC測(cè)量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/01 光源發(fā)射器

EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器

EMG LIC770/11 CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對(duì)中光源發(fā)射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

EMG SV1-10/32/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/8/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥

EMG SV1-10/48/315-6 伺服閥

EMG SV1-10/4/315/6 伺服閥

EMG SV1-10/4/100/6伺服閥

EMG SV1-10/8/100/6伺服閥

EMG SV1-10/16/100/6 伺服閥

EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6

EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6

EMG傳感器CCD pro-5000

EMG SV1-10/16/315/8 伺服閥

EMG SV1-10/16/315/6伺服閥

SMI-HR/500/2400/1700/200/A/傳感器

伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P

傳感器 SMI 1-53

BMI4/60/80 傳感器

EMG SV1-10/48/315/6伺服閥

EMG SV1-10/32/100/6伺服閥

EMG傳感器 BMI4/60/80/L/S.723

EMG傳感器 BMI4/60/80/R/S.723

日前,LD的制作主要采用液相外延生長(zhǎng)(LPE)技術(shù),LPE技術(shù)雖然鼓成熟、成本

低、也較方便,但是用它無(wú)法制作結(jié)構(gòu)精細(xì)的器件。近年來(lái),為了進(jìn)一步提高LD的性能,保證高重復(fù)性、高均勻性和高可靠性,國(guó)際上發(fā)展了一些新的外延方法。

分子束外延(MBE)生長(zhǎng)技術(shù)

MBE是70年代在真空蒸發(fā)的墓礎(chǔ)上迅速發(fā)展起來(lái)的制備極薄單晶薄膜的新技術(shù)。其原理是在超高真空中.將組成化合物的各元素分別裝入幾個(gè)噴射爐內(nèi),面對(duì)噴射爐放置襯底,襯底加熱到幾 ,從加熱的噴射爐噴出的熱分子束,噴射到襯底表面,與表面反應(yīng)產(chǎn)生單晶薄膜。和液相外延及氣相外延相比,MBE具有以下特點(diǎn):

(1)由于在雜質(zhì)氣壓很低的超高真空中結(jié)晶生長(zhǎng),因此可制作高純度單晶。(2)生長(zhǎng)速度慢,為0.1-10個(gè)/秒,可以達(dá)到以單原子層精度生長(zhǎng)超薄層薄膜。(3)生長(zhǎng)溫度低(對(duì)GaAs低于63?！?。生長(zhǎng)過(guò)程中主體原子和摻雜物質(zhì)的擴(kuò)散效應(yīng)小,可以獲得十分陡峭的組分變化。(4)權(quán)據(jù)二維結(jié)晶生長(zhǎng)機(jī)理,可以得到原子級(jí)平整的異質(zhì)結(jié)界面。(5)通過(guò)改變噴射爐溫度很容易改變組分比和雜質(zhì)的濃度。(6)利用電子束、離子束等各種表而分析技術(shù)可直接進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)觀測(cè)。

激光發(fā)射器是一種產(chǎn)生準(zhǔn)直、單色和相干光束的電子光源器件。在過(guò)去的數(shù)十年中，激光發(fā)射器發(fā)展出了很多的種類，同時(shí)應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，在科學(xué)研究、醫(yī)學(xué)、通信和工業(yè)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。下面一起從幾個(gè)方面來(lái)了解這個(gè)工業(yè)之光。

1、激光產(chǎn)生的原理和特點(diǎn)：

激光通過(guò)受激輻射的原理使得光進(jìn)一步的放大，在光學(xué)諧振腔內(nèi)產(chǎn)生準(zhǔn)直方向的激光光束。激光具有單色性好、功率大、相干性、單一方向性等顯著特點(diǎn)。這使得半導(dǎo)體激光和同為半導(dǎo)體的LED光源相比，半導(dǎo)體激光更具有的優(yōu)勢(shì)，如能用于LED光源不適用的機(jī)械視覺(jué)、光切割、祛斑、定位輔助等。

2、激光發(fā)射器的應(yīng)用

科學(xué)研究應(yīng)用：

激光發(fā)射器在科學(xué)研究中扮演著重要的角色。通過(guò)使用不同波長(zhǎng)和功率的激光器，科學(xué)家可以進(jìn)行精確的實(shí)驗(yàn)和觀測(cè)。激光在物理學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)和天文學(xué)等領(lǐng)域中的應(yīng)用，如光譜分析、原子冷卻和激光干涉等，推動(dòng)了許多重要的研究進(jìn)展。

工業(yè)應(yīng)用：

激光在工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用于材料加工、切割和焊接等工藝。激光切割機(jī)和激光焊接機(jī)已經(jīng)成為現(xiàn)代制造業(yè)的重要設(shè)備。激光技術(shù)的高精度、高效率和靈活性，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，并推動(dòng)了制造業(yè)的發(fā)展。

LIC770/01 光源發(fā)射器德國(guó)EMG 原裝現(xiàn)貨

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