污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
上海凱美特功能陶瓷技術(shù)有限公司
上海凱美特功能陶瓷技術(shù)有限公司
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地
聯(lián)系方式：鄭先生查看聯(lián)系方式
更新時間：2023-03-22 18:32:49瀏覽次數(shù)：531次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線SE-VE橢偏儀是基于單旋轉(zhuǎn)補償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數(shù)的快速分析表征。
一、目的
本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數(shù)的快速分析表征。
二、測量系統(tǒng)規(guī)格
SE-VE光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù)
橢偏儀測頭規(guī)格：
光譜范圍：400-800nm
入射角：65°
光斑大小：2-3mm
調(diào)制技術(shù)：PCRSA調(diào)制技術(shù)
膜厚重復性測量精度：0.05nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量1σ）
折射率測量精度：0.001（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量1σ）
膜厚測量范圍：0.1nm—10μm
單點測量時間：＜5s
光源：高性能進口鹵素燈光源（鹵素燈壽命：2,000h）
可視化樣品顯微對準系統(tǒng)
圖1光譜橢偏測頭原理圖
圖2 SE-VE光譜橢偏儀實物圖
樣品臺規(guī)格：
基板尺寸：*大支持樣件尺寸到8inch晶圓 （可定制）
Z軸位移行程：0-10mm
樣件臺俯仰角度：> ±2°
測控與分析軟件
光譜測量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量
數(shù)據(jù)分析能力：具備單層、多層膜厚、光學常數(shù)（折射率、消光系數(shù)）分析能力
支持常用光學常數(shù)模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能
支持多組分薄膜與體材料光學常數(shù)、組分比例分析功能； 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質(zhì)模型
支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數(shù)量，支持windows10操作系統(tǒng)
測控與分析計算機
操作系統(tǒng)：WIN10 64位
CPU處理器：Intel 酷睿I3
內(nèi)存：≥4G
硬盤：≥500G
顯示器：≥19寸
配件
標準SiO2/Si標樣
標準安裝工具一套
環(huán)境要求
橢偏儀承載臺：尺寸>1.5m（長）× 1.0 m（寬），承載能力大于50Kg（建議光學隔振）
使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃
相對濕度：35% ~ 60% RH
空氣壓力范圍：750~1014 mbar
潔凈度： Class 10000
能源要求
供電電源電壓：220V AC
正常頻率范圍：49-51Hz
相電流：有效值小于0.5A（220V AC）
功率：小于110 W
涂裝與表面處理
涂裝顏色：以黑色為主
表面處理：鍍化學鎳、陽極處理、烤漆等
質(zhì)保與售后服務(wù)
整機硬件質(zhì)保期為12個月。在質(zhì)保期內(nèi)出現(xiàn)各類故障供方及時免費維修，對非人為造成的各類零件損壞，及時免費更換
測控與分析軟件：升級，數(shù)據(jù)分析軟件提供拷貝
為用戶提供**充分儀器操作與數(shù)據(jù)分析培訓
提供終身免費數(shù)據(jù)建模與分析技術(shù)支持，為用戶提供樣件材料光學常數(shù)標定與模型庫升級服務(wù)
供方在接到故障報修信息后，供方維修人員4小時內(nèi)電話響應(yīng)，*晚48小時內(nèi)供方服務(wù)工程師進行****維修
您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
環(huán)保在線 設(shè)計制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
